Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей Гацоев, Казбек Аркадьевич

Краткое описание

Гацоев, Казбек Аркадьевич.
Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 181 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Гацоев, Казбек Аркадьевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ЬйаАэР/ЕпР ДЛЯ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ. С.
ДЛИНОЙ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 1,3 МКМ (ОБЗОР)
1.1. Твердые растворы МаМР, изопериодические с 1пР.
1.1.1. Краткая характеристика системы ГпСаАзР - 1пР
1.1.2. Данные по фазовой диаграмме 1пбаА&Р - 1пР.М
1.1.3. Особенности получения слоев ГпбаАвР жидкофазной эпитаксией.^
1.1.4. Легирование и получение нелегированных: эпитаксиальных слоев.
1.1.5. Свойства эпитаксиальных слоев.
1.2. Гетероструктуры ЬйаАбРДпР для излучателей
1.2.1. Особенности получения гетероструктур
1.2.2. Свойства и параметры излучателей на основе гетероструктур
1.3. Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ПОЛУЧЕНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР
1пбаАвР/1пР. МЕТОдаКИ ИЗМЕРЕНИЙ.ш££т
2.1. Установка для жидкофазной эпитаксии.
2.2. Методика получения эпитаксиальных слоев 1пР, 1пСаА&Р и гетероструктур на их основе для излучателей
2.3. Методика легирования различными примесями.
2.4. Методика изготовления излучателей.
2.4.1. Методика изготовления лазеров.
2.4.2. Методика изготовления светодиодов.
2.5. Методики измерений.
2.5.1. Методики определения концентрации носителей заряда, состава, толщин слоев, положения р-п-перехода.и. несоответствия параметров решетки . ^
2.5.2. Методики исследования фото- и электролюминесценции и внешнего квантового выхода излучения. . ^
2.6. Выводы.&Q
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAsP/InP
РАЗЛИЧНЫМИ ПРИМЕСЯМИ И ИХ ЛКЖНЕСЦЕНТШЕ СВОЙСТВА . M
3.1. Особенности легирования эпитаксиальных слоев различными примесями и их люминесцентные свойства. . №
3.1.1. Нелегированные эпитаксиальные слои.
3.1.2. Эпитаксиальные слои, легированные редкоземельными. . элементами и изотипные ДГС на их основе.
З.Т.З. Эпитаксиальные слои, легированные Sn и Se. и. изотипные ДГС на их основе.
3.1.4. Эпитаксиальные слои, легированные Zn, Cet и М^ и изотипные ДГС на их основе.^
3.2. Сравнительное исследование квантового выхода ани-зотипных InGaAsP/InP гетероструктур с промежуточным слоем при оптическом и токовом возбуждении.
3.3. Исследование влияния термообработки на квантовый выход излучения изотшшых и анизотипных гетероструктур.°
3.4. Выводы.¿
- 4 - Стр.
ГЛАВА 4. СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МаАзР/ЫР {Я-1,3 МКМ) . ||
4.1. Лшинесцентные свойства спонтанных излучателей.
4.1.1. Спектральный состав излучения.
4.1.2. Светодиоды плоской конструкции . . . . /-?
4.1.3. Светодиоды мезаконструкции. ■гзг
4.1.4. Торцевые светодиоды . /з?
4.2. Люминесцентные свойства когерентных излучателей
4.2.1. Лазеры с широким контактом.
4.2.2. Полосковые лазеры
4.3. Выводы