Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм Усиков, Александр Сергеевич

Краткое описание

Усиков, Александр Сергеевич.
Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 209 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Усиков, Александр Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ.£
ГЛАВА. I. МЕТОДЫ ПОЛУЯЕШЯ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ В СИСТЕМЕ ЪгёаАбР
ИХ СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ (ОБЗОР).
1.1. Получение и свойства твердых растворов МаАвР, изопериодических с 1пР.
1.1.1. Общая характеристика системы.
1.1.2. Расчет фазовой диаграммы.Ю
1.1.3. Особенности получения твердых растворов 1гйаА$Р методом жидкофазовой эпитаксии
1.1.4. Легирование 1пР и твердых растворов 1п£аА$Р
1.1.5. Другие методы получения твердых растворов ГпСаАвР . . 4б
1.2. Свойства и параметры гетеролазеров в системе 1пСаА$Р/1пР.
1.2.1. Лазеры с широким контактом.
1.2.2. Полосковые гетеролазеры.
Г.З. Выводы
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ В СИСТЕМЕ
1пСаА$Р/1пР. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ.
2;Т. Получение слоев 1пР и твердых растворов 1пСаА$Р методом жидкофазовой эпитаксии.
2.2. Получение слоев 1пР эпитаксией из газовой фазы
2.3. Методика изготовления гетероструктур.
2.4* Методика изготовления полосковых гетеролазеров
2.4.1. Полосковые гетеролазеры, полученные ионной имплантацией
2.4.2. Зарощенные мезаполосковые гетеролазеры, полученные гибридной технологией.
2.5. Методики измерений.
2.5.1. Методика исследования фото- и электролюминесценции
2.5.2. Методики определения состава слоев твердых растворов
1п&аАзР, положения р-п-перехода, толщин слоев . . . 95 2.5.3. Методика определения несоответствия параметров решеток и различия коэффициентов термического расширения слоя и подложки в гетероструктурах
1л£аА5Р/1пР.
2.6. Выводы.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ ПРИ ЖИДК0ФА30В0Й ЭПИТАКСИИ И КОЭФФИЦИЕНТОВ ТЕРМИЧЕСКОГО РАСШИРЕНИЯ В СИСТЕМЕ Ш&аАвР. ОСОБЕННОСТИ СЕЛЕКТИВНОГО ЗАРЫВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР ГАЗОФАЗОВОЙ ЭПИТАКСИЕЙ
3.1. Фазовые равновесия в системе 1п-@а-А&-Р
3.2. Особенности кристаллизации при жидкофазовой эпитаксии с учетом кинетических эффектов
3.3. Исследования коэффициентов термического расширения в гетероструктурах 1пСаАзР/1пР.
3.4. Особенности получения зарощенных мезаполосковых структур.
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОЛАЗЕРНЫХ
СТРУКТУР 1п@аДБР/1пР.
4.1. Влияние взаимного положения р-п-перехода и гетеро-границ на люминесцентные свойства двойных гетеро-структур 1п(3-аАзР/1пР.
4.2. Влияние безызлучательной рекомбинации на характеристики лазерных диодов.
4.3. Выводы.
ГЛАВА 5. СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕР0ЛАЗЕР0В ШаАяРДпР
С 1,3 мкм.
5.1. Гетвролазвры с широким контактом. . •
5.2. Имплантационные полосковые лазеры.
5.3. Полосковые гетеролазеры, полученные гибридной технологией.
5.4. Выводы.