Разработка методов контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в силовых полупроводниковых приборах Чибиркин, Владимир Васильевич

Краткое описание

Чибиркин,ВладимирВасильевич.Разработкаметодовконтролируемогорегулированиявременижизнинеравновесныхносителейзарядавсиловыхполупроводниковыхприборах: диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.13. - Санкт-Петербург, 1999. - 165 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
/ Российская Академия Наук Институт проблем электрофизики На правах рукописиЧибиркинВладимирВасильевичРазработкаметодовконтролируемогорегулированиявременижизнинеравновесныхносителейзарядавсиловыхполупроводниковыхприборахСпециальность 01.04.13 - «Электрофизика» Диссертация на соискание

стр. 8
научно-технической литературы 1.1.Методырегулированиявременижизнинеравновесныхноси­ телейзарядав структурахсиловыхполупроводниковыхпри­ боров1.1.1. ДиффузионныеметодыуменьшениявременижизниН Н З 1.1.2. РадиационныеметодыуменьшениявременижизниН Н З 1.1.2.1 Электронное и Т-облучение 1.1.2.2.

стр. 14
дозой, рассчитанной из соотношений, предложенных автором. 15 Глава 1 Обзор научно-технической литературы 1.1.Методырегулированиявременижизнинеравновесныхносителейзарядав структурахсиловыхполупроводниковыхприборовЗадача улучшения частотных свойств и получения оптимальных па­ раметровсиловыхполупроводниковыхприборовсвязана, прежде всего, с необходимостьюконтролируемогоуменьшения...

Оглавление диссертациикандидат технических наук Чибиркин, Владимир Васильевич
Введение
Глава 1. Обзор научно-технической литературы
1.1. Методы регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в структурах силовых полупроводниковых приборов
1.1.1. Диффузионные методы уменьшения времени жизни ННЗ
1.1.2. Радиационные методы уменьшения времени жизни ННЗ 20 1.1.2.1 Электронное и Т-облучение 22 1.1.2.2. Протонное облучение
1.2. Регулирование статических и динамических характеристик мощных тиристоров и диодов путем регулирования времени жизни ННЗ
1.3. Выводы и постановка задачи
Глава 2. Исследование рекомбинационных центров, вводимых в силовые полупроводниковые приборы для управления временем жизни ННЗ
2.1. Исследование образования и отжига радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении
2.2. Исследование распределения концентрации А-центров в базовых областях силовых полупроводниковых приборов при облучении на установке БОИС
2.3. Исследование распределения концентрации золота после его диффузии в тиристорных структурах
2.4. Исследование радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при протонном облучении
2.5. Выводы
Глава 3. Исследование влияния протонного облучения на основные параметры тиристоров
3.1. Исследование влияния энергии и дозы протонного облучения на основные параметры тиристоров
3.2. Исследование влияния отжига на параметры тиристоров, облученных протонами
3.3. Выводы
Глава 4. Оптимизация процессов регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в диодах и тиристорах в условиях массового производства
4.1. Оптимизация режима электронного облучения при регулировании величины импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров и прямого напряжения для диодов
4.2. Оптимизация процесса электронного облучения при регулировании величин заряда обратного восстановления
4.3. Оптимизация процесса локального облучения выпрямительных элементов тиристоров
4.4. Выводы 135 Заключение 136 Список использованной литературы 142 Приложение 1 152 Приложение 2 157 Приложение