Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония Михеев Виталий Витальевич

Краткое описание

Михеев, Виталий Витальевич.
Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Михеев Виталий Витальевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]. - Долгопрудный, 2021. - 114 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Михеев Виталий Витальевич
Введение
Глава 1. Использование сегнетоэлектрического оксида гафния в современных устройствах памяти
1.1 Современные подходы к созданию устройств памяти на основе сегнетоэлектриков
1.2 Сегнетоэлектрический оксид гафния
1.3 Сегнетоэлектрический туннельный переход на основе оксида гафния и твердых растворов НШ1-х02
1.4 Сегнетоэлектрические мемристоры
Глава 2. Методы формирования и исследования систем на основе тонких пленок сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония
2.1 Методы формирования структур на основе твердого раствора Hf0.5Zr0.5O2
2.2 Выбор толщины функционального слоя
2.3 Измерение РУ кривых и величины остаточной поляризации
2.4 Расчет прозрачности потенциального барьера
2.5 Моделирование зонной диаграммы структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник
2.6 Восстановление распределения потенциала в пленке сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония
Глава 3. подходы к созданию сегнетоэлектрических туннельных переходов на основе твердых растворов Hf0.5Zr0.5O2
3.1 Исследование структур на основе сверхтонких пленок Hf0.5Zr0.5O2
3.2 Исследование роли полупроводникового электрода при создании устройств памяти на основе поликристаллических пленок
3.3 Анализ других возможных механизмов переключения
Глава 4. Расчет концентрации дефектов и кислородных вакансий в пленках сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония
4.1 Выбор модели описания распределения потенциала в пленке
4.2 Расчет концентрации кислородных вакансий и заряженных дефектов в пленках твердого
раствора Hf0.5Zr0.5O2
Глава 5. Разработка критериев разделения механизмов резистивного переключения в оксиде
гафния-циркония
5.1 Мемристор на основе сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония с двумя независимыми механизмами переключения
5.2 Исследование механизмов резистивного переключения
5.3 Разработка критериев верификации сегнетоэлектрической природы переключений в оксиде
гафния-циркония
5.4 Обзор современных подходов к верификации сегнетоэлектрической природы
переключений в СТП и сегнетоэлектрических мемристорах
Глава 6. Сегнетоэлектрический мемристор второго рода
6.1 Сегнетоэлектрические и транспортные свойства
6.2 Синаптические свойства
Заключение
Список сокращений и обозначений
Список литературы