Шуригін Федір Михайлович. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

Краткое описание

Шуригін Федір Михайлович. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами. : Дис... канд. наук: 05.27.06 - 2008.
Шуригін Ф.М.Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами. Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06. Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. Національний університет „Львівська політехніка”, Львів, 2008р.
Дисертація присвячена проблемі розробки методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Основна концепція базується на одержанні напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію з заданим рівнем легування, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду під дією опромінення високоенергетичними електронами буде мінімальною. Вперше шляхом математичного моделювання показана можливість легування мікрокристалів арсеніду індію домішкою олова в широкому діапазоні концентрацій при осадженні їх з газової фази в хлоридній системі InAs Sn HCl. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію з концентрацією вільних носіїв заряду від 51016см-3до 11019см-3. Експериментально визначений оптимальний рівень легування мікрокристалів арсеніду індію, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду при опроміненні високоенергетичними електронами є мінімальна. Мікрокристали InAs, одержані осадженням з газової фази в хлоридній системі, знайшли практичне використання в датчиках магнітного поля холівського типу для вирішення магнітовимірювальних задач.