Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора Шипицын, Дмитрий Святославович

Краткое описание

Шипицын, Дмитрий Святославович.
Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1999. - 132 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Шипицын, Дмитрий Святославович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КВАНТОВОГО АНАЛОГА КМОП- ТРАНЗИСТОРА.
1.1. Гетероструктуры на основе ОаАй.
I. 1.1. Приборы с резонансным туннелированием электронов.
1.1.2. Приборы на сверхрешетках.
1.1.3. Гетероструктуры с селективным легированием и двумерным электронным газом.
1.2. Омические контакты к гетерострукт урам с квантовыми ямами.
1.2.1. Омические контакты к структурам на СаАя.
1.2.2. Омические контакты к отдельным квантовым ямам.
1.3. Латеральный транспорт в одноямных структурах.
1.4. Эффекты трансформации волновой функции электронов в многоямных структурах.
1.5. Выводы по Главе 1.
ГЛАВА 2. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР СА(Ш)А8/АЬОАА8.
2.1. Описание установки молекулярно-лучевой эпитаксии ЦНА-18.
2.2. Получение сверхвысокого вакуума.
2.3. Материалы для МЛЭ.
2.4. Подготовка подложек.
2.5. Эпитаксиальный рост.
2.5.1. Анализ поверхности в ходе эпитаксиального роста.
2.5.2. Автоматизация процесса роста.
2.6. Влияние условий роста на свойства гетероструктур ОаАб/АьОаАз.
2.7. Особенности роста гетероструктур 1ыОаА8/АьОаА8.
2.7.1. Выращивание образцов.
2.7.2. Рентгенодифракционные исследования.
2. 7.3. Фотолюминесценция.
2. 7.4. Расчет Ее.ш и определение параметров квантовых ям.
2.8. Исследования рНЕМТ - структур с высокой концентрацией 2В - газа.
2.9. Выводы по Главе 2.
ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К СТРУКТУРАМ И КВАНТОВЫМ ЯМАМ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ САА8.
3.1. Омические контакты к структурам на основе ОаА8.
3.2. Независимые омические контакты к отдельным квантовым ямам.
3.2.1. Методика создания селективных омических контактов.
3.2.2. Теоретическое обоснование методики.
3.2.3. Технология получения экспериментальных образцов.
3.2.4. Результаты.
3.3. Выводы по Главе 3.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАТЕРАЛЬНОГО ТРАНСПОРТА В СТРУКТУРАХ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ САА8/АЬСАА8.
4.1. Исследование латерального транспорта электронов в одноямных структурах с прямоугольными квантовыми ямами.
4.2. Транзистор с модулированной подвижностью электронов.
4.3. Выводы по Главе 4.