Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков Астапова, Елена Степановна

Краткое описание

Астапова, Елена Степановна.
Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Благовещенск, 1999. - 300 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Астапова, Елена Степановна
ВВЕДЕНИЕ.
1. СОСТАВ И СТРУКТУРА КЕРАМИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ.
1.1. Состав и классификационные признаки керамики.
1.1.1. Фазово-минералогический состав.
1.1.2. Химический состав.
1.2. Текстура высокоглиноземистых керамических диэлектриков.
1.3. Структура кристаллофаз керамики.
1.3.1. Структура корунда - основной кристаллофазы.
1.3.2. Структура магнезиальной шпинели.
1.3.3. Структура кварца.
1.4. Структура оксидных стекол.
1.4.1. Кварцевое стекло.
1.4.2. Алюмосиликатные стекла.
1.4.3. Боратные стекла.
2. РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ОКСИДАХ И В КЕРАМИКЕ.
2.1. Дефекты структуры в керамических диэлектриках.
2.2. Воздействие нейтронного облучения на чистые оксиды и кристаллофазы высокоглиноземистой керамики.
2.3. Влияние нейтронного облучения на конструкционные свойства оксидов и оксидной керамики.
2.3.1. Механические свойства.
2.3.2. Электрофизические свойства.
2.3.3. Дилатометрические свойства.
2.3.4. Структурные изменения.
2.3.5. Влияние структурных параметров на прочностные свойства керамики.
2.4. Полиморфные превращения.
2.5. Компенсационный эффект и его роль в повышении радиационной стойкости.
3. МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ
И СУБСТРУКТУРНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ИЗМЕНЕНИЙ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ И ИК-СПЕКТРОСКОПИИ.
3.1. Исследование радиационностимулированных структурных изменений методами инфракрасной спектроскопии и рентгенофазового анализа.
3.2. Методика определения напряжений I рода.
3.3. Методы восстановления истинной формы рентгеновской линии и определения параметров субструктуры.
3.3.1. Экспериментальная методика определения размеров блоков и микродеформаций облученной керамики.
3.3.1.1. Метод аппроксимации.
3.3.1.2. Гармонический анализ формы рентгеновской линии.
3.4. Микроскопический метод определения упругих характеристик твердых тел.
3.5. Возможности рентгеновского метода анализа диффузного рассеяния в сильноискаженных материалах.
3.5.1. Анализ диффузного рассеяния рентгеновских лучей на радиационных повреждениях кристаллофаз керамики.
3.6. Влияние дефектов субструктуры на электрофизические и механические свойства корунда.
4. ИССЛЕДОВАНИЕ КЕРАМИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ МЕТОДАМИ ИК-СПЕКТРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОГРАФИИ.
4.1. МК.
4.2.ГБ- 7.
4.3. УФ-46.
4.4.22ХС.
4.5.М-2 3.
4.6. СК-1.
5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ МЕТОДАМИ РЕНГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ.
5.1. Определение напряжений I рода.
5.2. Определение параметров ячейки кристаллофаз керамики с учетом диффузного рассеяния.
5.2.1. Съемка образцов. Восстановление истинной формы рентгеновского профиля линий облученной керамики.
5.2.2. Определение параметров ячейки основных кристаллофаз облученной керамики с учетом диффузного рассеяния рентгеновских лучей.
5.3. Определение субструктурных характеристик основной кристаллофазы облученной керамики.17В
5.3.1. Выбор кристаллографических направлений с одинаковыми упругими свойствами.
5.3.2. Определение субструктурных характеристик.
5.4. Исследование диффузного рассеяния рентгеновских лучей на радиационных дефектах основных кристаллофаз керамики.
5.5. Зависимость прочностных свойств от дефектов субструктуры.
5.6. Радиационностимулированный а - у - переход А1203.
5.7. Флуктуации напряжений в облученной керамике.