Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда Цацульников Андрей Федорович

Краткое описание

Цацульников, Андрей Федорович.Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Цацульников Андрей Федорович; [Место защиты: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2019. - 200 с. : ил.

Оглавление диссертациидоктор наук Цацульников Андрей Федорович
Оглавление
Введение
Список сокращений и условных обозначений
Глава 1. Формирование областей трехмерной локализации 12 носителей заряда в InGaN/(Al,Ga)N квантоворазмерных гетероструктурах
1.1. Влияние состава газовой атмосферы в реакторе на 13 структурные свойства InGaN/GaN гетероструктур
1.2. Влияние давления при эпитаксиальном росте на 25 структурные свойства КЯ InGaN.
1.3. Неоднородное распределение индия в КЯ и островках InGaN
1.3.1. Влияние прерываний роста в азот-водородной 31 атмосфере на распределение индия в островках InGaN
1.3.2. Неоднородное распределение индия в InGaN/GaN 36 структурах, выращенных методом термоциклирования
1.3.3. Исследования 1п-обогащенных областей методом ФЛ
с временным разрешением
1.3.4. Исследования температурной зависимости ФЛ и 47 зависимости ФЛ от интенсивности накачки КЯ 1пОаК, содержащих 1п-обогащенные области
1.4. Формирование однородных по составу КЯ InGaN
1.5. Выводы. 60 Глава 2. Различные типы 1пСаЩА1,Са^ гетероструктур, 62 основанные на технологических методах формирования областей
с трехмерной локализацией носителей заряда
2.1. Короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN, 62 сформированные методом конвертации InGaN в GaN в азот-водородной атмосфере.
2.2. Субмонослойные InGaN/GaN гетероструктуры
2.3. Влияние материала матрицы на свойства КЯ 1пОаМ
2.3.1. КЯ InxGa1 -xN в матрице InyGa1 -yN
2.3.2. КЯ InGaxN в матрице AlGaN
2.4. Композитные InAlN/InGaN гетероструктуры
2.5. Формирование 1п-обогащенных островков методом т-яНи 114 наномаскирования.
2.6. Выводы. 120 Глава 3. Светоизлучающие структуры с активной областью на 122 основе КЯ InGaN и короткопериодных сверхрешеток 1пСаШСа^
3.1. Светодиодные структуры синего диапазона
3.1.1. Транспорт носителей и эффективность излучения в 123 светодиодных InGaN/GaN гетероструктурах с InGaN островками.
3.1.2. Влияние КПСР на эффективность излучения
3.2. Светодиодные структуры желто-зеленого диапазона
3.3. Монолитные белые светодиоды с активной областью на 148 основе КЯ InGaN и короткопериодных InGaN/GaN сверхрешеток.
3.3.1. Безлюминофорные светодиоды с монолитной 150 активной областью на основе КЯ InGaN и КПСР InGaN/GaN.
3.3.1.1. Оптимизация дизайна гетероструктуры
3.3.1.2. Управление цветовыми параметрами 161 монолитного светодиода.
3.3.2. Монолитные белые светодиоды с люминофорным 163 покрытием.
3.4. Выводы. 171 Заключение 173 Публикации по теме диссертации 177 Список цитированной литературы