Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 Малявка, Лариса Васильевна

Краткое описание

Малявка, Лариса Васильевна.
Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 165 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Малявка, Лариса Васильевна
Содержание
ВВЕДЕНИЕ
1 ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ В ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
1.1 ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
1.2 МЕХАНИЗМЫ ДИССИПАЦИИ ЭНЕРГИИ ПРИ
ТОРМОЖЕНИИ ИМПЛАНТИРУЕМЫХ ИОНОВ И
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ВНЕДРЕННЫХ АТОМОВ ПО
ГЛУБИНЕ
1.2.1 Потери энергии имплантируемых ионов на ядерную подсистему
1.2.2 Потери энергии имплантируемых ионов на электронную подсистему
1.2.3 Распределение пробегов имплантированных ионов
в веществе
1.2.4 Каналирование и краудионы
1.3 ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
1.3.1 Образование дефектов, обусловленное взаимодействием имплантированных ионов с ядерной подсистемой твердого тела
1.3.2 Образование дефектов, обусловленное взаимодействием имплантированных ионов с электронной подсистемой твердого тела
1.4 ИЗМЕНЕНИЯ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ МИШЕНИ
1.4.1 Распыление
1.4.2 Фазовые переходы и структурные перестройки в подвергнутых имплантации материалах
1.5 ЭФФЕКТ ДАЛЬНОДЕЙСТВИЯ
1.6 ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 СИСТЕМА ЭЛЕКТРОЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК И ЕЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ ЯьвЮа
2.2 МЕТОД ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
2.2.1 Исследование ионно- имплантированных структур 5г-5г02 люминесцентными методами
2.2.2 Экспериментальная техника и аппаратура
2.3 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУР ЗьЭЮз В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРО-
ЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
2.4 ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБРАЗЦЫ
3 ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР вьвЮг
3.1 ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИСХОДНЫХ СТРУКТУР Э^кь в СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ-ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
3.2 ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР Б^Юг, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ Аг
3.3 ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР, СФОРМИРОВАННЫХ ПО ТЕХНОЛОГИИ ЭШОХ
3.4 ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ НА ВИД СПЕКТРАЛЬНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СТРУКТУР Б^Юз
3.4.1 Природа дефектов, ответственных за полосу 1.9 эВ в спектрах ионно- имплантированных структур Зг-вЮъ
3.4.2 Природа дефектов, ответственных за полосы 2.7 и 4-4 эВ в спектрах ионно- имплантированных структур 5г-5г*02
3.4.3 Механизм образования в исходных структурах Бг-
центров, ответственных за полосу ЭЛ 2.7 эВ
и полосы УФ- области спектра
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННО- ИМ-
ПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР 81-8102
4.1 изменение зарядового состояния структур 8ь&02 под действием имплантации ионов Аг и последующих воздействий
4.1.1 Влияние ионной имплантации на зарядовое состояние структур 5г-5г02
4.1.2 Влияние отжига на зарядовое состояние имплантированных ионами Аг структур 5г-5гс>2
4.1.3 Влияние БУФ- облучения на зарядовое состояние ионно- имплантированных структур 5г-5г02
4.2 влияние ионной имплантации и последующих менее энергетичных воздействий на характер протекающих в структурах эьэюг электронных процессов
4.2.1 Влияние ионной имплантации на характер протекающих в структурах 5г-5г02 электронных процессов
4.2.2 Влияние ионной имплантации и постимпланта-ционного отжига на характер протекающих в
структурах 5г-5г"02 электронных процессов
4.3 электрически активные центры, образующихся в ^ог вследствие ионной имплантации в окисный слой структур вь эюг
4.3.1 Природа электрически активных центров, образующихся во внешней области 5гОг вследствие ионной имплантации в окисный слой структур 5г-5г02
4.3.2 Электрически активные центры, образующиеся в 5гОг вблизи границы с £г вследствие ионной имплантации в окисный слой структур
выводы к главе 4
5 ПРИРОДА, СВОЙСТВА И МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ, СОЗДАЮЩИХСЯ В СТРУКТУ-
PAX Si-Si02 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
5.1 МЕХАНИЗМЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В Si02 ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В ОКИСНЫЙ СЛОЙ СТРУКТУР Si-Si02
5.2 ПРИРОДА ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В Si02 ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ С Si ВСЛЕДСТВИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
В ОКИСНЫЙ СЛОЙ СТРУКТУР Si-Si02
5.2.1 Природа электрически активных центров, ответственных за отрицательный заряд в окисле
5.2.2 Природа электрически активных центров, ответственных за положительный заряд в окисле
5.3 СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ В ОКИСНОМ СЛОЕ ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР Si-Si02
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ