Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках Ченский, Евгений Васильевич

Краткое описание

Ченский, Евгений Васильевич.
Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1985. - 252 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Ченский, Евгений Васильевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. КУЛОНОВСКИЕ КОРРЕЛЯЦИИ И СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ
ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1.1. Влияние кулоновского взаимодействия на спектр поверхностных состояний.
1.2. Фазовый переход в системе взаимодействующих локализованных электронов в поверхностной примесной зоне при конечных температурах.
1.3. Интерпретация наблюдаемых осцилля-ций продольной проводимости по двумерной примесной зоне в МДП-струк-турах.
Глава 2. КРУПНОМАСШТАБНЫЙ ФЛУКТУАЦИОННЫЙ ПОТЕНЦИАЛ И ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ В ЛЕГИРОВАННЫХ И СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
2.1. Уравнение Пуассона и представление об экранированных и неэкранированных флуктуациях.
2.2. Среднее значение потенциала
2.3. Плотность вероятности потенциала и плотность состояний примесных
Глава 3. ТЕОРИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В НЕОДНОРОДНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ОГРАНИЧЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИ-КАХ.
3.1. Термодинамические соотношения для сегнетоэлектриков с доменной структурой . П
3.2. Устойчивость однородного состояния сегнетоэлектрика в конденсаторе
3.3. Неоднородные состояния сегнетоэлектрика
3.4. Спектр колебаний доменной структуры
Глава 4. НЕОДНОРОДНЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СПОНТАННОЙ
ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭКРАНИРОВАНИЕМ СВОБОДНЫМИ ЗАРЯДАМИ
4.1. Явления неустойчивости в сегнето-электрических полупроводниках.
4.2. Монодоменная поляризация сегнетоэлектриков с фазовым переходом
I рода
4.3. Теория расслоения на фазы сегнетоэлектрика - полупроводника типа
4.4. Роль поверхностных состояний в процессах переполяризации сегнетоэлектрика германата свинца .*•••.
4.5. Эмиттер с отрицательным сродством на основе сегнетополупроводника
Глава 5. Р-ш - ПЕРЕХОДЫ И АНОМАЛЬНАЯ ФОТО-ЭДС В
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ.
- 4Стр.
5.1. Р-п-переход в сегнетоэлектрическом полупроводнике
5.2. Модель легированного и сильно компенсированного сегнетоэлектрика.
5.3. Варизонные структуры в сегнетоэлектрическом полупроводнике