Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков Красильщиков, Борис Романович

Краткое описание

Красильщиков, Борис Романович.
Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 194 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Красильщиков, Борис Романович
ВВЕДЕНИЕ
1. СТАТИСТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРАТКОВРЕМЕННОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ РЕАЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ( ПО МАТЕРИАЛАМ ЛИТЕРАТУРЫ).
1.1. Связь между степенью однородности диэлектриков и их электрической прочностью
1.2. О применимости нормального распределения для описания статистики электрической прочности
1.3. Зависимость электрической прочности от площади изоляции. Построения на базе модели слабейшего звена
1.4. Предельные распределения минимальных значений
1.5. Собственная прочность изоляции, соответствующая "бездефектным" образцам. Вероятностные модели пробоя на основе упрощающих предположений о структуре и роли дефектов.
1.6. Выводы.
2. СТАТИСТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
С ДЕФЕКТАМИ, СЛУЧАЙНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПО ПЛОЩАДИ
2.1. Общий вид функции распределения иПр образцов изолирующей пленки. Модель локальных слабых мест
2.2. Случаи, не сводящиеся к изолированным дефектам.
Жи.) как характеристика изоляционного материала
2.3. Системы, выдерживающие многократный пробой
2.4. Связь функции распределения с распределением минимального значения в выборке фиксированного объема. Графический метод исследования сходимости к предельным видам
2.5. Распределение токов утечки
2.6. Выводы
3. ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК К РЕАЛЬНЫМ ТОНКОПЛЕНОЧНЫМ МДМ СТРУКТУРАМ
3.1. Постановка задач и экспериментальная методика исследования кратковременной электрической прочности тонкопленочных МДМ структур
3.2. Электрическая прочность тонкопленочных МДМ структур на основе анодных окислов алюминия и тантала
3.3. МДМ структуры с напыленным и термически окисленным диэлектриком
3.4. Число пробоев в конденсаторе как случайная величина. Связь между зависимостью N(10 и функциями распределения иПр первого и последующих пробоев
3.5. Выводы
4. СТАТИСТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ С ОБЪЕМНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕФЕКТАМИ. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В СРЕДЕ С ХАОТИЧЕСКИ
РАСПОЛОЖЕННЫМИ ОРИЕНТИРОВАННЫМИ ДИПОЛЯМИ
АЛ. Распределение числа дефектов в потенциальном канале пробоя
4.2. Простейший учет влияния проводящих включений на электрическую прочность
4.3. Распределение потенциала и проекций напряженности электрического поля в среде с хаотически распределенными по объему ориентированными диполями
4.4. Выводы.