Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников Аблязов, Нурлан Насирович

Краткое описание

Аблязов, Нурлан Насирович.
Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 161 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Аблязов, Нурлан Насирович
Введение
Глава I. Плотность состоянии дырок в твердом растворе с вырожденной валентной зоной
1. Введение
2. Взаимодействие частицы с флуктуациями состава твердого раствора
3. Метод оптимальной флуктуации для невырожденной параболической зоны.
4. Энергетический спектр валентной зоны на основе гамильтониана Латтинжера
5. Сдвиг вершины валентной зоны в случайном потенциале типа "белый шум"
6. Формулировка метода оптимальной флуктуации для вырожденной валентной зоны.
7. Выражение для предэкспоненвдального множителя
Глава 2. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах
1. Введение
2. Экситон в твердом растворе
3. Оценка ширины линии экситонного поглощения при больших длинах локализации.
4. Оценка ширины линии при малых длинах локализации
5. Сравнение с экспериментом
Глава 3. Рассеяние электронов в бесщелевом полупроводнике
1. Введение
2. Метод парциальных волн
3. Рассеяние электрона на потенциальной яме
4. Резонансы и их ширины
Глава 4. Влияние флуктуаций состава на электронные свойства бесщелевых полупроводников. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
1. Введение
2. Экспериментальные особенности бесщелевых твердых растворов и донорно-акцепторная модель бесщелевого полупроводника
3. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
4. Концентрация остаточных электронов в рамках флуктуационной модели бесщелевого полупроводника с кейновским спектром
5. Вычисление подвижности электронов . 104
6. Температурная зависимость уровня Ферми
7. Сравнение с экспериментом
Глава 5. Флуктуационная модель перехода бесщелевой полупроводник - нормальный полупроводник при всестороннем сжатии
I. Введение
2. Взаимодействие электрона с флуктуациями состава в узкощелевом полупроводнике с кейновским спектром .114
3. Ширина дырочных флуктуационных уровней в узкощелевом полупроводнике с кейновским спектром
4. Положение уровня Ферми .121
5. Расчет подвижности электронов
6. Сравнение с экспериментальными данными