Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках Казаков, Валентин Васильевич
- Альтернативное название:
- The influence of positive and negative pressure on the phase transition in some wide-gap, narrow-gap and layered ferroelectrics Kazakov, Valentin Vasilievich
- Краткое описание:
- Казаков, Валентин Васильевич.
Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 142 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Казаков, Валентин Васильевич
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА СЕШЕТОЭЛЕКТРМЕСКИЕ
СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ. ОБЗОР
ЛИТЕРАТУРЫ.
§1.1.Теоретическое описание влияния давления на сегнето электрический фазовый переход.
§1.2.Влияниб давления на сегнетоэлектрический фазовый переход и ширину запрещенной зоны сегнетоэлектриков. Экспериментальные результаты. а) перовскитовые сегнетоэлектрики б) узкощельные сегнетоэлектрики-полуцроводники в) слоистые кристаллы.
§1.3.Водород и гелий в кристаллах. Растяжение решетки.
§1.4.Постановка задачи.
Глава 2. МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЙ.
§2.1.Аппаратура высокого давления. а) электрические измерения. б) оптические измерения.
§2.2.Измерение давления и температуры в камерах высокого давления. Оценка погрешностей измерений.
§2.3.Внедрение гелия в изучаемые образцы. Рентгенографическое определение параметров решетки.
§2.4.Приготовление образцов к измерениям.
§2.5.Методика определения сегнетоэлектрических характеристик проводящих образцов P^.^Ge^e.
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.
§3.1.Воспроизведение результатов исследований зависимости температуры сегнетоэлектрического фазового перехода BaTt03 от давления.
§3.2.Зависимость температуры фазового перехода в
Pfc,xGexTe от давления и концентрации носителей.
§3,3.Влияние гидростатического сжатия на фазовый переход в слоистом сегнето электрике SlgTc^O?
§3.4.Влияние отрицательного давления на фазовый переход в сегнетоэлектриках BotTlO^, SxTlO^, NaNBO^n
SiaTa207.
§3.5.Влияние давления на ширину запрещенной зоны
Sx2Ta20? и других сегнетоэлектриков.
Глава 4. ОБСУВДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.
§4.1.Выводы межзонной модели сегнетоэлектричества, которые могут быть использованы для интерпретации полученных в работе результатов.
§4.2.Сравнение экспериментальных результатов с теорией.ПО
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб