Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов Кокорев, Михаил Федорович

Краткое описание

Кокорев, Михаил Федорович.
Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.03. - Ленинград, 1984. - 215 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Кокорев, Михаил Федорович
ВВБДШИЕ.V
I. ВОЛНЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ С2РУК1УРАХ С ОДП • .• •
1.1. Полупроводниковые структуры с ОДП и их использование в электронике СВЧ. ^
1.2. Процессы переноса в полупроводниках с ОДП в сильных электрических полях. ^
1.2.1. Методы описания процессов переноса в плазме полупроводников.
1.2.2. Модели полупроводниковых структур с ОДП.
1.3. Волновые процессы в полупроводниковых структурах с ОДП
1.3.1. Влияние диффузии носителей и контактов на малосигнальный импеданс пространственно однородных полупроводниковых структур с ОДП.
1.3.2. Влияние температуры, уровня и профиля легирования, контактов на устойчивость полупроводниковых структур с ОДП.
1.3.3. Малосигнальный импеданс пространственно неоднородных полупроводниковых структур с СЩП
1.3.4. Малосигнальный импеданс слоистых полупроводниковых структур.
1.3.5. Влияние профиля легирования и контактов на ВЧ проводимость и КЦЦ полупроводниковых структур с СЩП в ракше большого сигнала.
1,4. Выводы и постановка задач диссертационного исследования.
2. ТЕМПЕРАТУРНАЯ МОДЕЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ
С ОДП И КАТОДНЫМ КОНТАКТОМ В ВВДЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ
2.1, Гидродинамические уравнения переноса в линейном приближении по числу Кнудсена.
2.2. Столкновительные члены для числа частиц и энергии с учетом междолинных переходов.
2.3. Двухтемпературная модель волновых процессов в полупроводниковых структурах с ОДП и барьером
Шоттки в качестве катодного контакта.
2.3.1. Основные уравнения модели и граничные условия. Моделирование катодного контакта
2.3.2. Конечно-разностные уравнения и алгоритм их решения.
2.4. Выводы
3. ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ И МАЛОСЖНАЛЬНЫЙ ШВДАНС
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
3.1. Влияние диффузии носителей и контактов на волновые процессы и малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП.
3.2. Влияние модуляции проводимости катодного контакта на малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП.
3.3. Волновые процессы и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля.
3.3.1. Распределение электрического поля в полупроводниковых структурах с ОДП и катодным контактом в шде барьера Шоттки.
3.3.2. Устойчивость и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля.
3.4. Волновые процессы в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения.
3.4.1. Основные уравнения, описывающие процессы переноса в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения
3.4.2. Дисперсионное уравнение для волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах с неоднород ной площадью поперечного сечения . . III
3.5. Выводы.
4. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ И
РАСЧЕТ ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
И РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМИ КОНТАКТОВ.
4.1. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета малосигнального импеданса полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки.П
4.2. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета импеданса слоистых полупроводниковых структур.
4.3. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета импеданса полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки в режиме большого сигнала.
4.4.Быводы.
5. РЕЗУЛЬТАТЫ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ И РАСЧЕт ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СЗРУК1УР С ОДП И РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМ КОНТАКТОВ.
5.1. Волновые процессы и малосигнальный импеданс неоднородных и слоистых полупроводниковых структур
5.1.1. Неоднородные полупроводниковые структуры с ОДП и различными типами контактов.
5.1.2. Слоистые полупроводниковые структуры
5.2. Отрицательная проводимость и КОД полупроводниковых структур с ОДП и омическими контактами
5.3. Отрицательная проводимость и КПД полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки.
5.4. Экспериментальное ею следование полупроводниковых структур с катодным контактом в виде барьера Шоттки.
5*5. Выводы.