Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения Терентьев, Александр Иванович

Краткое описание

Терентьев, Александр Иванович.
Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1998. - 159 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Терентьев, Александр Иванович
ОГЛАВЛЕНИЕ
стр
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Теллурид кадмия (обзор литературы)
1Л. Введение
1.2. Физико-химические свойства системы СсГСсГГе-Те
1.2.1. Диаграмма состояния СсПГе (Р-Т-х)
1.2.2. Фазовые равновесия Сс1Те(тв)^С(1Те(г)^Сс1(г)+1/2Те2(г)
1.3. Дефекты в СсГГе 21 1.3.1 Равновесие атомных дефектов в СсГГе и СсГГе <С1>
1.3.2. Самокомпенсация в кристаллах СсГГе<В>, СсГГе<С1>
1.3.3. Регулирование состава атомных дефектов при росте и отжиге кристалла
1.4. Выращивание кристаллов СсГГе
1.4.1. Выращивание кристаллов СсГГе из газовой фазы
1.4.2. Выращивание кристаллов СсГГе из раствора в расплаве соединения
1.4.3. Выращивание кристаллов СсГГе из расплава
1.5. Заключение и постановка задачи 50 Глава 2. Выращивание полуизолирующих кристаллов СсГГе<С1>
2.1. Введение
2.2. Описание методики горизонтальной направленной кристаллизации
2.3. Синтез СсГГе. Очистка при синтезе
2.4. Изучение условий кристаллизации СсГГе<С1>
2.5. Конвективные потоки в расплаве СсГГе при кристаллизации в горизонтальной лодочке
2.6. Определение оптимальных условий выращивания кристалла CdTe
2.7. Основные результаты и выводы 81 Глава 3. Исследование самокомпенсации в CdTe<Cl> методом
термического отжига кристаллов
3.1. 3.1.Введение
3.2. Разработка методики отжига полуизолирующих кристаллов CdTe<Cl>
3.3. Самокомпенсация в кристаллах CdTe<Cl> в области составов, контролируемых при отжиге давлением пара кадмия
3.4. Самокомпенсация в кристаллах CdTe<Cl> в области составов, контролируемых при отжиге давлением пара теллура
3.4.1. Образование антиструктурного дефекта TeCd ,
нарушающего процесс самокомпенсации в CdTe<Cl>
3.5. Заключение и выводы 105 Глава 4. Некоторые аспекты самокомпенсации в CdTe<Cl> при
послеростовом отжиге слитка кристаллов
4.1. Введение
4.2. Принципы отжига кристалла в процессе охлаждения слитка
4.3. Гомогенизирующий отжиг слитка CdTe<Cl> (TKp=const)
4.3.1. Послеростовой отжиг слитка CdTe<Cl>
4.3.2. Высокотемпературный отжиг слитка CdTe<Cl>
4.4. Гомогенизирующий отжиг слитка в процессе его охлаждения
4.4.1. Исследование влияния скорости охлаждения слитка на
"самоочистку"в кристалле 125 4.4.2. Исследование управления составом кристалла при его
охлаждении
4.5. Гомогенизирующий отжиг слитка с выделением во вторую фазу избытка компонента в процессе охлаждения
4.6. Основные результаты и выводы 139 Заключение, основные результаты и выводы 142 Список литературы