Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия Илащук, Мария Ивановна
- Альтернативное название:
- Interaction of defects in the crystal lattice of cadmium telluride Ilashchuk, Maria Ivanovna
- Краткое описание:
- Илащук, Мария Ивановна.
Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Черновцы, 1984. - 164 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Илащук, Мария Ивановна
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
§ I.I. Область гомогенности теллурида кадмия.
§ 1.2. Собственные дефекты в CdTe.
§ 1.3. Взаимодействие собственных и примесных дефектов в решетке теллурида кадмия.
§ 1.4. Взаимодействие точечных дефектов с дислокациями.
Глава П. ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ CdTe И МЕТОДИКИ ИХ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ.
§ 2.1. Синтез и выращивание кристаллов CdTe
§ 2.2. Приготовление образцов и нанесение контактов.
§ 2.3. Контроль однородности образцов
§ 2.4. Методика электрических измерений
§ 2.5. Методика фотоэлектрических измерений.
Глава Ш. НЕСТАБИЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ р - С die.
§ 3.1. Временные изменения в p-CdTe. . Анализ различных моделей.
§ 3.2. Характер временных изменений в низкоомном p-CdTe с низким уровнем неконтролируемых примесей.
§ 3.3. Нестабильности электрических свойств теллурида кадмия с высоким уровнем неконтролируемых примесей.
§ 3.4. Кинетика процессов,происходящих в p-CdTe при низкотемпературном отжиге
§ 3.5. Временные изменения электрических свойств образцов, полученных низкотемпературными методами.
§ 3.6. Электрические свойства теллурида кадмия, содержащего значительные концентрации собственных дефектов.
Глава 1У. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Со!Те ,ЛЕГИРОВАННОГО
АМФОТЕРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ ( &в , Sn ).
§ 4.1. Электрические свойства теллурида кадмия, легированного Sn
§ 4.2. Собственная проводимость кристаллов
CdTe : Ge , CdTe: Sri
§ 4.3. Влияние термообработки на электрические свойства CdTe , легированного амфотерной примесью.
Глава У. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ CdTe:&e, Fe ,СОДЕРЖАЩИХ ОБЛАСТИ МИКРОНЕОДНОРОДНОСТЕЙ.ПО
§ 5.1. Анизотропия подвижности носителей заряда в кристаллах CdTe - Ge.ПО
§ 5.2. Влияние неоднородностей на электрические свойства CdTe , легированного германием.III
§ 5.3. Фотоэлектрические свойства неоднородных кристаллов CdTe-Oe.
§ 5.4. Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe-Fee магнитным упорядочением
ВЫВОДЫ
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб