|
Загалом робіт:458
401. Рябец, Сергей Иванович. Физико-химические особенности жидкой эпитаксии твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подкладках
Рік: 1998 402. Сорокин, Святослав Игоревич. Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере
Рік: 1998 403. Стасюк, Владимир Александрович. Изучение седловинных точек на поверхности ликвидуса и солидуса в тройных системах с трифторидами редкоземельных элементов
Рік: 1998 404. Столяров, Сергей Михайлович. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами
Рік: 1998 405. Фитьо, Владимир Михайлович. Bыcoкoинформативные фотогермопластические системы для записи оптических голограмм
Рік: 1998 406. Циж, Богдан Романович. Разработка и исследование тонкопленочных структур для фотопреобразователей и оптических носителей информации
Рік: 1998 407. Часовникова, Елена Владимировна. Синтез и исследование стеклокристаллических композиционных материалов для изделий электронной техники
Рік: 1998 408. Чуканов, Сергей Владимирович. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня
Рік: 1998 409. Шепетюк, Владимир Андреевич. Выращивание и свойства пленок AIVBVI для термоэлектрических и оптоэлектрических устройств
Рік: 1998 410. Галкин, Сергей Николаевич. Получение и исследование оптических и сцинтнлляционных кристаллов соединений типа А2В6
Рік: 1997 411. Козлов, Владимир Валентинович. Исследование и разработка технологии коллоидно-химического полирования поверхности арсенида галлия
Рік: 1997 412. Костромин, Сергей Викторович. Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN"
Рік: 1997 413. Кустов, Тарас Владимирович. Разработка технологии материалов и позисторов на их основе для защиты от электрических перегрузок
Рік: 1997 414. Попова, Елена Евгеньевна. Получение бесконусных нитевидных кристаллов кремния для миниатюрных преобразователей температуры
Рік: 1997 415. Рощин, Владимир Михайлович. Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы
Рік: 1997 416. Чиликина, Марина Валерьевна. Разработка и исследование материалов и технологиимногослойных металлодиэлектрических структурметодом диффузионной сварки
Рік: 1997 417. Авдиенко, Клавдия Ильинична. Получение, модификация, свойства кристаллов для акусто- и оптоэлектроники
Рік: 1996 418. Благин, Анатолий Вячеславович. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия
Рік: 1996 419. Бучинская, Ирина Игоревна. Высокоплотные материалы на основе фторида свинца
Рік: 1996 420. Веремьянина, Людмила Николаевна. Испарение мышьяка из галлиевых и индиевых растворов в условиях Ленгмюра
Рік: 1996 421. Забелина, Ирина Анатольевна. Синтез и выращивание кристаллов твердых растворов CuAl x In1-xS2 , CuInSe2x Te2(1-x) , CuGa x In1-x Te2 и исследование их свойств
Рік: 1996 422. Казаков, Виталий Викторович. Твердые растворы AlGainAsP на основе GaAs и InP, полученные в поле температурного градиента, и их свойства
Рік: 1996 423. Лебедева, Татьяна Анатольевна. Твердоэлектролитный сенсор галогенсодержащих веществ с чувствительным слоем молибдата калия-бария-гадолиния и активированным электродом
Рік: 1996 424. Лукина, Ирина Николаевна. Физико-химические основы процессов травления монокристаллических танталата и тетрабората лития
Рік: 1996 425. Распопина, Екатерина Владиславовна. Толстые пленки YBa2Cu3O7-8 на подложке Y2BaCuO5: получение, свойства, применение
Рік: 1996 426. Савинова, Ирина Геннадьевна. Выращивание крупных кристаллов моноалюмината иттрия методом горизонтально-направленной кристаллизации
Рік: 1996 427. Скоробогатова, Ольга Викторовна. Фазовые равновесия в системе Ba-Cu-O2
Рік: 1996 428. Турилин, Сергей Митрофанович. Экспериментальные исследование и численное моделирование газодинамических течений в процессе газофазной эпитаксии кремния
Рік: 1996 429. Шевченко, Андрей Геннадьевич. Разработка физико-химических основ получения многокомпонентных твердых растворов на основе InAs в поле температурного градиента
Рік: 1996 430. Галанин, Станислав Геннадьевич. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым расплылением
Рік: 1995 431. Есаулов, Николай Петрович. Физико-технологические основы разработок эффективных металлосплавных и металлооксидных катодных материалов и катодов на их основе для мощных ЭВП
Рік: 1995 432. Ковалгин, Алексей Юрьевич. Исследование процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
Рік: 1995 433. Кочурихин, Владимир Владимирович. Выращивание монокристаллов галлиевых гранатов с частичным замещением галлия ионами лютеция и иттербия
Рік: 1995 434. Моргунов, Игорь Викторович. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии
Рік: 1995 435. Мяльдун, Александр Зигмунтович. Воздействие низкочастотных вибраций на тепломассоперенос при выращивании кристаллов из жидкой фазы
Рік: 1995 436. Репин, Вадим Анатольевич. Разработка и исследование титанатных ситаллоцементов для толстопленочной электроники
Рік: 1995 437. Тришканева, Марина Валерьевна. Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti
Рік: 1995 438. Коростелин, Юрий Владимирович. Выращивание монокристаллов халькогенидов цинка и твердых растворов халькогенидов цинка и кадмия для оптоэлектронных приборов
Рік: 1994 439. Левенец, Владислав Владимирович. Оптимизация методов химической подготовки и пассивации поверхности Si с применением фторсодержащих кислот
Рік: 1994 440. Ли Ден Мок. Исследование полосково-щелевых структур и разработка устройств на их основе
Рік: 1994 441. Нгуен Суан Нгиа. Процессы эпитаксиального выращивания ..егированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик
Рік: 1994 442. Овчинников, Вадим Алексеевич. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов In Al Ga As Sb в поле температурного градиента
Рік: 1994 443. Полистанский, Юрий Григорьевич. Разработка эффективных полупроводниковых термоэлементов на основе соединений AVBVI, AIVBVI и технологических способов их получения
Рік: 1994 444. Сатункин, Геннадий Анатольевич. Автоматизация способа Чохральского с использованием математических моделей малой размерности
Рік: 1994 445. Сергеева Жанна Михайловна. Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
Рік: 1994 446. Ханеев, Николай Петрович. Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере
Рік: 1994 447. Дружинин, Анатолий Александрович. Структурнi перетворення в напiвпровiдниках пiд дiею лазерного випромiнювання та iх використання для створення мiкроелектронних приладiв
Рік: 1993 448. Иванов, Аркадий Леонидович. Исследование процессов выращивания монокристаллов ВТСП Ln2-x Me x CuO4 ; Ln=La, Nd, Pr, Sm; Me=Sr, Ce методом спонтанной кристаллизации из растворов в расплавах
Рік: 1993 449. Кройчук, Кирилл Львович. Исследование и разработка барьерных пленок с толщинами до 100 А на входе микроканальных пластин для электровакуумных приборов 3-го поколения
Рік: 1993 450. Панков, Владимир Викторович. Моделирование ионно-лучевых технологических процессов формирования тонкопленочных структур
Рік: 1993 |
