|
Загалом робіт:1000
301. Ромашкин, Алексей Валентинович. Формирование и исследование наноструктур с полевым управлением проводимостью канала на основе молекулярных проводников и углеродных нанотрубок
Рік: 2013 302. Русанов, Александр Валерьевич. Проектирование аналоговых блоков интегральных схем с низким напряжением питания
Рік: 2013 303. Русских, Елена Алексеевна. Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2:Y2O3,SnO2:SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства
Рік: 2013 304. Саенко, Александр Викторович. Разработка и исследование сенсибилизированных красителем солнечных элементов на основе диоксида титана
Рік: 2013 305. Сидоров, Дмитрий Владимирович. Применение радионуклидных источников -излучения для имитации нейтронного воздействия на кремниевые биполярные транзисторы
Рік: 2013 306. Слепченков, Михаил Михайлович. Атомное и электронное строение графеновых нанолент и графановых наночастиц при механическом сжатии
Рік: 2013 307. Солодовник, Максим Сергеевич. Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро- и наноэлектроники
Рік: 2013 308. Татаринцев, Андрей Андреевич. Основные закономерности зарядки диэлектриков и сегнетоэлектриков электронами средних энергий
Рік: 2013 309. Тимошенков, Валерий Петрович. Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов
Рік: 2013 310. Тишин, Александр Сергеевич. Методы построения фокальной плоскости по Z-планарной технологии для оптико-электронных преобразователей
Рік: 2013 311. Уваров, Илья Владимирович. Резонансные свойства трехслойных металлических кантилеверов наноразмерной толщины
Рік: 2013 312. Федоров, Константин Александрович. Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений
Рік: 2013 313. Филатов, Дмитрий Олегович. Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур
Рік: 2013 314. Черемисинов, Андрей Андреевич. Исследование и разработка трехколлекторного биполярного магнитотранзистора с низким коллекторным разбалансом для работы в слабых и переменных магнитных полях
Рік: 2013 315. Шеховцов, Дмитрий Витальевич. Проектирование умножителей частоты гармонических колебаний в субмикронном технологическом базисе
Рік: 2013 316. Шубин, Владимир Владимирович. Исследование и разработка новых схемо-топологических решений элементов библиотек заказных КМДП СБИС
Рік: 2013 317. Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP
Рік: 2013 318. РОЗРОБКА ВИСОКОТЕПЛОПРОВІДНИХ ПІДКЛАДОК БАГАТОКРИСТАЛЬНИХ МІКРОЗБІРОК ДЛЯ РОБОТИ В ЕКСТРЕМАЛЬНИХ УМОВАХ
Рік: 2012 319. РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ СТРУКТУР ОРГАНІЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ НА ОСНОВІ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ
Рік: 2012 320. НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА РОЗЩЕПЛЕНИХ ХОЛЛІВСЬКИХ СТРУКТУРАХ
Рік: 2012 321. Алексеев, Алексей Алексеевич. Исследование и разработка универсальных методов тестирования IP блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер
Рік: 2012 322. Арсентьев, Алексей Владимирович. Прогнозирование деградации электрических параметров полупроводниковых изделий
Рік: 2012 323. Белкин, Леонид Михайлович. Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона
Рік: 2012 324. Бородкин, Игорь Иванович. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
Рік: 2012 325. Бурдейный, Дмитрий Игоревич. Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
Рік: 2012 326. Быстрицкий, Алексей Викторович. Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем
Рік: 2012 327. Вопилкин, Евгений Александрович. Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем
Рік: 2012 328. Глыбин, Александр Анатольевич. Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
Рік: 2012 329. Гнатюк, Дмитрий Леонидович. Моделирование и проектирование монолитных интегральных схем малошумящих усилителей диапазона крайне высоких частот
Рік: 2012 330. Горшков, Константин Викторович. Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов
Рік: 2012 331. Гусев, Станислав Валентинович. Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов
Рік: 2012 332. Иванов, Максим Сергеевич. Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники
Рік: 2012 333. Ильин, Алексей Сергеевич. Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот
Рік: 2012 334. Иорш, Иван Владимирович. Модовая структура и нелинейные эффекты в резонансных и нерезонансных фотонных кристаллах
Рік: 2012 335. Калинин Борис Вячеславович. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN
Рік: 2012 336. Климов, Евгений Александрович. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
Рік: 2012 337. Климова Евгения Александровича. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоаморфных РНЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием
Рік: 2012 338. Ковалевский, Константин Андреевич. Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии
Рік: 2012 339. Корпухин, Андрей Сергеевич. Методы получения и характеристики полиимид - кремниевых микроактюаторов и устройств микромеханики на их основе
Рік: 2012 340. Краснов, Александр Александрович. Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов
Рік: 2012 341. Лобанова, Анна Юрьевна. Исследование и разработка методов снижения энергопотребления при проектировании микропроцессорных СБИС
Рік: 2012 342. Лу Пин. Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила
Рік: 2012 343. Маляр, Иван Владиславович. Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основе
Рік: 2012 344. Манченко, Любовь Викторовна. Совершенствование моделей и оптимизация конструкций гибридных узкополосных транзисторных усилителей коротковолновой части сантиметрового диапазона длин волн
Рік: 2012 345. Мигунов, Денис Михайлович. Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз
Рік: 2012 346. Мухин, Игорь Игоревич. Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии
Рік: 2012 347. Орликовский, Николай Александрович. Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро- и наноэлектроники
Рік: 2012 348. Перевалова, Евгения Викторовна. Нанотубулярные формы бора : особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
Рік: 2012 349. Перевезенцев, Александр Владимирович. СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
Рік: 2012 350. Перевозчиков, Михаил Васильевич. Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов
Рік: 2012 |
