Анизотропия вторичной электронной эмиссии монокристаллов переходных металлов при средних энергиях электронов (дифракция и локализация электронов в кристаллах) Гомоюнова, Марина Владимировна

Короткий опис

Гомоюнова,МаринаВладимировна.Анизотропиявторичнойэлектроннойэмиссиимонокристалловпереходныхметалловприсреднихэнергияхэлектронов(дифракцияилокализацияэлектроноввкристаллах) : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.04. - Ленинград, 1984. - 388 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
-./ /7 А К А Д Е М И Я НАУК СССР им.А.Ф.ИОФФЕ ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ На правах рукописи УДК 536.533 ГОМОЮНОБАМаринаВладимировна^-у ^г*^'^'АНИЗОТРОПИЯВТОРИЧНОЙЭЛЕКТРОННОЙЭШССИИМОНОКРИСТАЛЛОВПЕРЕХОДНЫХМЕТАЛЛОВПРИСРЩНИХЭНЕРГИЯХЭЛЕКТРОНОВ(ДИФРАКЩИ ИЛОКАЛИЗАЦИЯЭЛЖТРОНОВ ВКРИСТАЛЛАХ) (спеодальность 01,04.04 - физическая электроника, в том числе квантовая) Д и с с е...

стр. 4
возбуадениявторичныхэлектроновпо энергетическому спектру 193 6.3.Анизотропиявозбуждениявторичныхэлектроновха­ рактеристическихэнергий212 6.4.Анизотропиявозбуждениявторичныхэлектронов, вы­ летающих вдоль нормали к поверхностикристалла. 228 6.5.Анизотропиявозбуждениявторичныхэлектроновприизменении полярного угла падения первичныхэлек­ тронов230 6.6. Обсуждение...

стр. 35
исследовать основные закономерностилокали­ зацииэлектроновсреднихэнергийприпроникновении вкристалл.Приэтом основное внимание было обращено налокализациюэлектро­ новв окрестностях плоскостей системы. Это обусловлено тем, что ванизотропиивзаимодействияэлектроновсреднихэнергийсмоно­ кристалламив опытах на отражение определяющую роль в большинстве случаев играет плотность...

Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Гомоюнова, Марина Владимировна
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ И УПРУГОЕ КОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
1.1. Вторичная электронная эмиссия
1.2. Специфика взаимодействия электронов с монокристаллами
Выводы.
Глава П. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕД,НЕЙ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ
2.1. Модели упругого когерентного рассеяния электронов периодическим потенциалом кристалла
2.2. Борновское приближение локализации электронов в приповерхностном слое монокристалла
2.3. Основы динамической теории дифракции электронов
2.4. Данные численных расчетов волнового поля электронов в приповерхностной области монокристалла на основе динамической теории дифракции электронов
2.5. Локализация электронов в кристаллах и теоретические работы по вторичной электронной эмиссии
Выводы.
Глава Ш. ВТОРИЧНАЯ ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ.
3.1. Модель внутренних источников и кинематическое приближение вторичной дифракции электронов
3.2. Динамическое приближение теории вторичной дифракции электронов.
3.3. Феноменологическая модель квазиупругого рассеяния электронов монокристаллом и результаты численных расчетов вторичной дифракции электронов
Выводы.1тг:
Глава 1У. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ АНИЗОТРОПИИ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
4.1. Экспериментальные способы исследования анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов
4.2. Изготовление и контроль монокристаллов переходных металлов.
4.3. Экспериментальные установки для измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов
4.4. Экспериментальная установка для исследования распределения анизотропии возбуждения вторичных электронов по спектру
4.5. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением
Выводы.
Глава У. АНИЗОТРОПИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОМ ЭМИССИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ( МЬ , Мо и № ).
5.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
5.2. Зависимости коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов , ^ и
§ от энергии первичных электронов
5.3. Влияние температуры на интегральные характеристики вторичной электронной эмиссии монокристаллов вольфрама и молибдена
5.4. Влияние угла падения первичных электронов на вторичную электронную эмиссию монокристалличе -ского вольфрама.
5.5. Обсуждение результатов
Выводы.
Глава У1. АНИЗОТРОПИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ РАЗ
НОЙ ЭНЕРГИИ.
6.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
6.2. Распределение анизотропии возбуждения вторичных электронов по энергетическому спектру
6.3. Анизотропия возбуждения вторичных электронов характеристических энергий.
6.4. Анизотропия возбуждения вторичных электронов, вылетающих вдоль нормали к поверхности кристалла
6.5. Анизотропия возбуждения вторичных электронов при изменении полярного угла падения первичных электронов
6.6. Обсуждение результатов
Выводы.
Глава УЛ. АНИЗОТРОПИЯ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.
7.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
7.2. Анизотропия выхода упруго отраженных электронов
7.3. Анизотропия выхода электронов, отраженных с характеристическими потерями энергии
7.4. Анизотропия выхода вторичных электронов непрерывного спектра.
7.5. Сравнение анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов и применимость теоремы обратимости к неупругому отражению электронов
7.6. Анизотропия выхода оже-электронов
7.7. Обсуждение результатов
Выводы.