Электромагнитные процессы при прохождении частиц высоких энергий через вещество Шульга, Николай Федорович

Короткий опис

Шульга, Николай Федорович.
Электромагнитные процессы при прохождении частиц высоких энергий через вещество : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.16. - Харьков, 1984. - 243 с. : ил
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Шульга, Николай Федорович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ТЕОРИЯ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТР0Н-П03ИТР0ННЫХ ПАР ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ ЧАСТИЦ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ ЧЕРЕЗ КРИСТАЛЛ
1.1. Сечения излучения и образования пар в борновском приближении.
1.2. Сечение излучения при движении электрона вблизи кристаллографической оси.
1.3. Сечение излучения при движении частиц вблизи кристаллографической плоскости.
1.4. Классическая теория когерентного излучения релятивистскими частицами в кристаллах.
1.5. Область применимости теории когерентного излучения релятивистскими частицами в кристаллах.
Выводы.
ГЛАВА 2. КЛАССИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ РЕЛЯТИВИСТСКИМИ
ЗАРЯЖЕННЫМИ ЧАСТИЦАМИ В ВЕЩЕСТВЕ.
2.1. Спектральная плотность излучения релятивистскими частицами в классической электродинамике
2.2. Излучение при малом изменении радиуса кривизны траектории частицы.
2.3. Излучение в области малых частот.
2.4. Излучение в дипольном приближении.
Выводы.
ГЛАВА 3. ИЗЛУЧЕНИЕ ПРИ ДВИЖЕНИЙ РЕЛЯТИВИСТСКИХ ЧАСТИЦ ВБЛИЗИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ПЛОСКОСТИ.
3.1. Приближение непрерывных цепочек и непрерывных плоскостей кристалла.
3.2. Спектральная плотность излучения при движении релятивистских частиц в поле непрерывного потенциала кристаллографических плоскостей
3.3. Излучение надбарьершми частицами при О» Ос
3.4. Излучение электронами и позитронами при 0 < 6С
3.5. Влияние расходимости частиц в пучке на излучение.
3.6. Учет недипольности излучения.
3.7 Сравнение результатов теории и экспериментов по излучению ультрарелятивистскими позитронами в тонких кристаллах.
Выводы.
ГЛАВА 4. 0РИЕНТАЩ0ННЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ РАССЕЯНИИ РЕЛЯТИВИСТСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ НА ЦЕПОЧКАХ АТОМОВ КРИСТАЛЛА.
4.1. Особенности движения быстрых заряженных частиц в поле нецрерывного потенциала цепочек атомов кристалла.
4.2. Классическая теория рассеяния электронов и позитронов на цепочке атомов кристалла
4.3. Квантовая теория рассеяния быстрых частиц на цепочке атомов.
4.4. Многократное рассеяние релятивистских частиц на цепочках атомов . XIX
Выводы.
ГЛАВА 5. ИЗЛУЧЕНИЕ ПРИ ДВИЖЕНИИ РЕЛЯТИВИСТСКИХ
ЧАСТИЦ ВБЛИЗИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОСИ
5.1. Излучение на цепочке атомов кристалла в дипольном приближении.
5.2. Излучение в области малых и больших частот
5.3. Излучение электронов и позитронов на цепочках атомов кристалла при движении частиц вдоль кристаллографической плоскости.
Выводы.
ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ МНОГОКРАТНОГО РАССЕЯНИЯ И ПОЛЯРИЗАЦИИ СРЕДЫ НА ИЗЛУЧЕНИЕ РЕЛЯТИВИСТСКИХ ЧАСТИЦ В ВЕЩЕСТВЕ.
6.1. Континуальный подход к учету влияния многократного рассеяния на излучение релятивистской частицы в веществе.
6.2. Эффект Ландау-Пащращука при излучении релятивистскими частицами в кристалле качественное рассмотрение)
6.3. Влияние многократного рассеяния и поляризации среды на интенсивность когерентного излучения релятивистской частицей в кристалле (точная классическая теория).
6.4. Излучение в тонком слое вещества.
6.5. Развитие в пространстве и времени процесса излучения релятивистской частицей в веществе
Выводы.
ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРОГЛАГНИТНЫЕ ЛИВНИ
В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СРЕДАХ.
7.1. Основные уравнения каскадной теории.
7.2. Каскадная электронная функция в случае малых передач энергии.
7.3. Развитие электромагнитного ливня при ультравысоких энергиях частиц.
7.4. Развитие ливня в кристалле при сравнительно малых энергиях фотонов.
7.5. Развитие ливня в поликристаллах.
Выводы.