Энергетический спектр, транспортные свойства и локализация носителей тока в соединениях внедрения в графит акцепторного типа Лапин, Сергей Анатольевич

Короткий опис

Лапин, Сергей Анатольевич.
Энергетический спектр, транспортные свойства и локализация носителей тока в соединениях внедрения в графит акцепторного типа : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.09. - Москва, 2000. - 122 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Лапин, Сергей Анатольевич
СОДЕРЖАНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ.
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ.
I. Структура, физические свойства, методы получения соединений внедрения в графит акцепторного типа и графитовой фольги.
1.1. Кристаллическая структура графита.
1.2. Структура бисульфата графита.
1.3. Основные закономерности внедрения серной кислоты в графит.
1.4. Структуры моно- и гетероинтеркалированных соединений внедрения в графит.
1.5. Энергетический спектр носителей тока в графите и СВГ.
1.6. Электрофизические свойства моно- и гетеро-СВГ. Фазовые переходы.
1.7. Энергетический спектр моно- и гетероинтеркалированных соединений внедрения в графит.
1.8. Квантовые поправки к проводимости в углеродных материалах.
1.9. Исследования эффекта Холла в монокристаллах и высокоориентированном графите.
II. Методика синтеза образцов соединений внедрения в графит, графитовой фольги и экспериментальные установки.
11.1. Исходные вещества и синтез образцов.
11.2. Измерение электропроводности in situ.
11.3. Наблюдение процесса внедрения H2S04 в графит in situ методом рентгенофазового анализа.
11.4. Низкотемпературная установка для измерения осцилляционных явлений.
11.5. Ошибки измерений.
III. Квантовые осцилляционные эффекты в гетеро-СВГ
Ci2FeCl3(ICI)o.75.-.
111.1. Распределение плотности заряда в гетеро-СВГ C12FeCI3(ICI)o.75 вдоль оси С.
111.2. Эффект Шубникова де Гааза для СВГ C16ICi, C12FeCI3 и C12FeCI3(ICI)0 75.
111.3. Энергетический спектр C12FeCI3(ICI)
111.4. Фазовые переходы.
IV. Исследование кинетики реакции внедрения серной кислоты в графит in situ.
IV. 1. Исследование процесса внедрения H2S04 в графит методом
РФА in situ.
IV.2. Исследование процесса внедрения H2S04 в графит методом измерения электропроводности in situ.
V. Гальваномагнитные свойства бисульфата графита низких ступеней при низких температурах.
V.1. Квантовые осцилляционные эффекты в бисульфате графита низких ступеней.
V.2. Суперметаллическая проводимость и фазовые переходы в CBr-H2S04.
VI. Исследование электрофизических свойств низкоплотных углеродных материалов получаемых на основе бисульфата графита при низких температурах.
VI.1. Изменение гальваномагнитных свойств низкоплотных углеродных материалов в зависимости от давления прессования.