Генерирование и отжиг радиационных дефектов в структурах металл-окись-полупроводник Касчиева, Соня Бойчева

Короткий опис

Касчиева, Соня Бойчева.
Генерирование и отжиг радиационных дефектов в структурах металл-окись-полупроводник : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Дубна, 1999. - 134 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Касчиева, Соня Бойчева
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. Усовершенствование вольт/фарадных методов при исследовании облученных и имплантированных
МОП структур.
1.1 Усовершенствование квазистатичной С/У методики.
1.2 Использование высокочастотной вольт/фарадной (С/У) методики для исследования ионно имплантированных МОП структур.
1.3 Использование метода термостимулированного освобождения заряда при исследовании МОП структур.
Выводы.
Глава 2. Влияние облучения гамма лучами, высокоэнергетическими электронами и нейтронами на
С/У и ТОЗ характеристики МОП структур.
2.1. Взаимодействие гамма лучей с МОП структурами.
2.1.1. Облучение МОП структуры с разной толщиной окисла гамма лучами.
2.1.2. Влияние температуры жидкого азота на облучение МОП структуры гамма лучами.
2.2. Облучение МОП структуры высокоэнергетическими электронами. 4
2.2.1. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на интерфейсные состояния 81-8102 структур.
2.2.2. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на толщину окисла БьЗЮг структур.
2.3. Облучение МОП структур нейтронами.
Выводы.
ГЛАВА 3. Радиационные дефекты в ионноимплантированных МОП структурах.
3.1. Изучение энергетического спектра радиационных дефектов в
МОП структурах, имплантированных ионами бора.
3.2. Влияние дефектного поверхностного слоя на емкостные характеристики МОП структур.
3.3. Комбинированное воздействие имплантации и облучения на характеристики МОП структур.
3.3.1.Влияние лазерного облучения на электрофизические свойства
МОП структур, имплантированных ионами бора.
3.3.2.Облучение ионноимплантированнных БьЗЮг структур высокоэнергетическими электронами.
Выводы.
ГЛАВА 4. Отжиг радиационных дефектов, полученных в результате ионной имплантации структур 81-8102.
4.1. Термический отжиг радиационных дефектов МОП структур имплантированных ионами бора.
4.2. Отжиг радиационных дефектов МОП структур, имплантированных ионами бора и кислорода в водородной плазме.
4.3. Отжиг радиационных дефектов имплантированных МОП структур УФ облучением.
4.4. Отжиг радиационных дефектов имплантированных МОП структур при облучении Х-лучами. ЮО
Выводы. ЮЗ
Глава 5. Методы повышения радиационной стойкости
МОП структур.
5.1. Увеличение радиационной стойкости МОП структур с помощью гетерирования 81 пластин.
5.2. Увеличение радиационной стойкости МОП структур методом циклической обработки. ПО
5.2.1.Влияние циклической обработки структур на концентрацию поверхностных состояний на границе раздела и заряда в окисле. 110 5.2.2.Эффективность циклической обработки при МОП структурах с разной толщиной окисла.
5.3. Увеличение радиационной стойкости МОП структур с помощью послеокислительных охлаждений структур 81-8Ю2.
Выводы.