Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении Шахурин, Евгений Сергеевич

Короткий опис

Шахурин, Евгений Сергеевич.
Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Москва, 1984. - 171 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Шахурин, Евгений Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ
ПАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
§ I.I.Процесс ЗСД адсорбированных газов с металлической II поверхности.
§ 1.2.Десорбция с поверхности ионных кристаллов.
§ 1.3.Дальнейшее развитие представлений о механизме ЭСД.
ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
ВЫБОР ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ.
§ П.I.Описание экспериментальной установки.
П.I.I.Вакуумные условия.
П.I.2.Оже-спектрометр. 36 П. 1.3.Устройства для высокотемпературного просева образцов. 40 П.1.4.Установка для спектрофотометрического анализа образцов.
§ П.2.Выбор объектов исследования.
П.2.1.Общие требования.
П.2.2.Электронное строение монокристаллов.
§ П.3.Методика эксперимента.
ГЛАВА Ш. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ЭСД.
§ Ш.1.ЭСД с поверхности LiF. 62 Ш.I.I.Изменения, происходящие в Оже-спектре LiF при электронном облучении. 63 Ш.1.2.Спектро$отометрический анализ кристалла Li Г облученного электронами
Ш.1.3.Обсуждение результатов
§ Ш.2.ЭСД с поверхности кристаллов Sl'Og и •
Ш.2.1.ЭСД с поверхности Si'O^
Ш.2.2.ЭСД с поверхности А?20д. 80 Ш.2.3.Обсуждение результатов.
§ Ш.З.Электронная бомбардировка поверхности M<jO
Ш.3.1.Экспериментальные результаты.
Ш.З.2.Обсуждение результатов.
§ Ш.4.Взаимодействие электронного пучка с поверхностью
S i С
§ Ш.5.Обсуждение результатов.
Ш.5.1.Расчёт сечении ЭСД для исследованных веществ. 97 Ш.5.2.Сопоставление полученных результатов с KFмоделью ЭСД.
ГЛАВА 17. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭСД.
§ 17.I.Глубина протекания ЭСД.
17.1.1.Экспериментальные результаты.
I7.I.I.a). АР203.
17.1.1.6). Si 02.
17.1.1.в).Слой Si02 на МдО . 105 17.1.2.Оценка глубины протекания ЭСД.
17.1.2.a). kiz 03 . 109 17.1.2.б).Монокристалл Si02 и слой Si02 на MgO. 112 17.1.3.Обоснование методики расчёта $ . 112 17Л.4.Механизмы разрушения ЩГК. Поверхностное и объёмное разрушение. ИЗ
17.1.5.Высоко- и низкоэнергетичные Оже-пики LiF . И
17.1.6.Спектрофотометрический анализ образцов.
§ 17.2.Зависимость ЭСД от энергии первичных электронов Ер. 116 17.2.I.Экспериментальные данные. 117 17.2.2.Обсуждение результатов.
1У.2.2.а)Связь ЭСД с вероятностью ионизации остовных уровней.
1У.2.2.6).Оже-каскады.
1У.2.2.в).О возможности термодесорбции цри электронном облучении.
§ 1У.З.Влияние углеродных включений на ЭСД. 126 1У.ЗЛ.Связь между количеством углерода на поверхности и эффективностью ЭСД. 127 1У.3.2.Изменение концентрации углерода на поверхности при ее облучении электронами. 131 1У.3.3.0бсуящение результатов.
ГЛАВА У. РАССМОТРЕНИЕ КИНЕТИКИ аЯЖТРОННО-СТИМУЛИРОВАННОЙ
ДЕСОРБЦИИ.
§,УЛ.Сопоставление полученных результатов с КГ-моделью
§ У.2.Сравнительная характеристика MGR- и КГ-моделей
§ У.3.Построение диаграммы энергетических уровней аниона на поверхности.
§ У.4.Рассмотрение кинетики ЭСД.
§ У.5.Некоторые приложения кинетической модели ЭСД. 147 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.