Квантово-механические расчеты адсорбционных комплексов на поверхности кремния и оксида алюминия в приближении кристаллических орбиталей Пушкарчук, Александр Леонидович

Короткий опис

Пушкарчук, Александр Леонидович.
Квантово-механические расчеты адсорбционных комплексов на поверхности кремния и оксида алюминия в приближении кристаллических орбиталей : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Минск, 1989. - 187 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Пушкарчук, Александр Леонидович
ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИЗ НЕКОТОРЫХ СОВРЕМЕННЫХ КВАНТОВОМЕХАШЧЕСКИХ МЕТОДОВ РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙКТУРЫ МОНОГОАТОМНЫХ СИСТЕМ И ПРИМЕНЕНИЕ ИХ ДЯЯ ОПИСАНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕД
1.1. Применение метода самосогласованного поля Хартри-Фока и его полуэмпирических вариантов для изучения электронной структуры твердых тел.
1.1.1. Метод Хартри-Фока.
1.1.2. Приближение МО ЛКАО для молекул и кластеров
1.1.3. Информация, получаемая из расчетов по методу МО ЛКАО.
I.I.4. Расширенный метод Хюккеля
I.I.5. Физические соображения, лежащие в основе
РЖ, и границы применимости метода
1.2. Уравнение Хартри-Фока для периодических систем.
1.3. Метод кристаллических орбиталей
1.4. Применение РМХ для расчетов в приближении КО ЛКАО
1.5. Адсорбция атомарного водорода на поверхности (100) Эксперимент и квантовомеханические расчеты
1.5.1. Теоретическое изучение моногидридной фазы адсорбции
1.5.2. Теоретическое изучение дигидридной фазы адсорбции
1.6. Изучение электронной структуры оксида алюминия
1.7. Выводы
2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИЧЕСКИХ АСПЕКТОВ РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ МЕТОДОМ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОРБИТАЛЕЙ. ПРОГРАММНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ РАСЧЕТОВ НА ЭВМ И СОЗДАНИЕ ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА.
2.1. Общая характеристика программного комплекса, используемого для проведения вычислений
2.2. Вычислительные особенности расчета регулярных структур в приближении РМХ КО.
2.3. Программная реализация РМХ КО.
2.3.1. Программа 3JLAB
2.3.2. Программа slabjet
2.3.3. Программа SLAB/С.
2.4. Разработка сервисных программ для обработки результатов зонных расчетов с использованием средств компьютерной графики
2.4.1. Программная реализация графического представления зонной структуры. Программы CONST и
CDNA U.
2.4.2. Вычислительные особенности расчета и графического представления плотности состояний по результатам зонных расчетов.
2.4.3. Программная реализация расчета и графического представления ППС. Программа ЬО&
2.4.4. Программная реализация графического представления распределения заряда по атомам КЭЯ. Программа CHAR6E.
2.5. Выводы.
3. ЗОННЫЕ РАСЧЕТЫ АТОМАРНО-ЧИСТОЙ И СОДЕРЖАЩЕЙ АДСОРБИРОВАННЫЕ
АТОМЫ ВОДОРОДА ГРАНИ (100) КРЕМНИЯ.
3.1. Атомарно-чистая поверхность (100) 1фемния.
3.1.1. Выбор квазимолекулярной элементарной ячейки трансляции и параметров расчетной схемы
3.1.2. Структура энергетических зон грани (100) кремния.
3.1.3. Расчет полной плотности состояний грани (100) кремния.
3.1.4. Распределение электронной плотности в поверхностных слоях грани (100) кремния
3.2. Поверхность (100) кремния при адсорбции атомарного водорода
3.2.1. Выбор квазимолекулярной элементарной ячейки трансляции для моногидридной фазы адсорбции
3.2.2. Расчет зонной структуры для моногидридной фазы адсорбции . I.
3.2.3. Выбор квазимолекулярной элементарной ячейки трансляции для дигидридной фазы адсорбции
3.2.4. Расчет зонной структуры для дигидридной фазы адсорбции.
3.2.5. Расчет полной плотности состояний для дигидридной фазы адсорбции.
3.3. Моделирование зарядового состояния поверхностных атомов на различных стадиях технологической обработки кремния
3.4. Выводы
4. ИЗУЧЕНИЕ АТОМАРНО-ЧИСТОЙ И СОДЕРЖАЩЕЙ АДСОРБИРОВАННЫЕ М0
ЛЕЕШШ HgO ГРАНИ (0001) оС -AlgOg
4.1. Атомарно-чистая поверхность (0001) ^-AlgOg
4.1.1. Выбор параметров расчетной схемы и квазимолекулярной элементарной ячейки трансляции
4.1.2. Электронная структура оС *AlgOg для КЭЯ 60/4AI/60.
4.1.3. Электронная структура поверхности (0001) оС - А
4.2. Поверхность (0001) ^-А1203, содержащая адсорбированные молекулы воды.
4.2.1. Поверхность оС -AlgOg при диссоциативной адсорбции HgO с разной степенью покрытия
4.2.2. Поверхность сС -AlgOg при недиссовдативной адсорбции HgO с разной степенью покрытия
4.2.3. Анализ результатов, полученных для различных форм адсорбции молекул воды.
4.3. Выводы