Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках Панов, Александр Александрович

Короткий опис

Панов,АлександрАлександрович.Лазерноевозбуждениенеравновесныхносителейвширокозонныхдиэлектриках: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Москва, 1985. - 171 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
ij / Ox..-' /У/ // АКАДЕМИЯ ШЖ СССР ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ На правах рукописиПАНОВАлександрАлександровичМЗЕРНОЕ ВОЗБУВДЕНИЕНЕРАВНОВЕСНЫХНОСИТЕЛЕЙВ ШИРОКОЗОНШХДИЭЛЕКТРИКАХ01.04.04 - физическая электроника, в том числе квантовая Д и с с е р т а ц и я на соискание ученой степени кандидата физико-математичес­

стр. 7
работы было проведение всесторонних исследований процессов фотовозбуждениянеравновесныхносителейвширокозонныхдиэлектрикахпод дейст­ виемлазерныхимпульсов

стр. 14
того, только при взаимодействиилазерногоизлучения больших интенсивностой сширокозоннымидиэлектрикамиможно наб­ людать специфические процессы, протекающие при высоких уровняхвозбуждения; образованиенеравновесныхF - центров и других ~ 15 ~ радиационных дефектов. 1.2.ЛазернаяФотопроводшлость

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Панов, Александр Александрович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Краткий обзор работ по фотопроводимости диэлектриков .ii
Введение.ii
1.1. Ранние работы по фотопроводимости диэлектриков ц
1.2. Лазерная фотопроводимость диэлектриков.
Вывода к главе I.
ГЛАВА. 2. Экспериментальная установка, условия и методика проведения экспериментов по лазерной фотопроводимости . .-.
Введение.
2.1. Лазерная установка.
2.2. Установка для измерений фотопроводимости.
2.3. Методика измерений фотопроводимости.
2.4. Исследуемые кристаллы.
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков.
Введение.
3.1. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,27 мкм.
3.2. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,35 мкм.
3.3. Фотопроводимость кристаллов ЩР и ДКДР.
3.4. Фотопроводимость кристаллов рубина и флюорита . 82 Выводы к главе 3.
ГЛАВА 4. Исследование эффекта фотоувлечения носителей и нелинейного поглощения излучения в щелочно-галоидных кристаллах при УФ возбуждении.
Введение.
4.1. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочно-галоидных кристаллах.
4.2. Нелинейное поглощение в щелочно-галоидных кристаллах лазерного излучения на длинах волн 0,35 мкм и 0,27 мкм.
Выводы к главе 4.
ГЛАВА 5. Кинетическая модель фотопроводимости, наблюдаемой в щелочно-галоидных кристаллах.
Введение.
5.1. Роль "мелких" ловушек в наблвдаемых явлениях лазерной фотопроводимости.
5.2. Анализ явлений лазерной фотопроводимости при больших интенсивностях лазерного излучения
5.3. Роль дефектов в наблюдаемых явлениях лазерной фотопроводимости
Выводы к главе 5.
ЗА1ШЗЧЕНИЕ.'.