Механизм образования, стабилизации и физические характеристики высокотемпературных сверхпроводящих пленок Nb3Ge и Nb3Si Печень, Евгений Владимирович

Короткий опис

Печень, Евгений Владимирович.
Механизм образования, стабилизации и физические характеристики высокотемпературных сверхпроводящих пленок Nb3Ge и Nb3Si : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Москва, 1984. - 196 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Печень, Евгений Владимирович
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. Получение высокотемпературного сверхпроводящего соединения ЫЬ56е
1.2. Стабилизация фазы МЬ^е
1.3. Попытки создания ВСФ
1.4. Аномальные свойства соединений со структурой А15.
1.5. Исследование электронных характеристик соединения К1Ь3бе
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Методика изготовления образцов.».
2.2. Оптимизация режимов осаждения.
2.3. Измерение критической температуры и резистивных характеристик образцов.
2.4. Измерение температурной зависимости верхнего критического магнитного поля.
2.5. Исследование морфологии, структуры и химического элементного состава образцов.
2.6. Приготовление мостиковых и туннельных контактов на основе пленок ЫЬ^Ов • Измерение критических токов, ВАХ мостиков и туннельных переходов . #.
2.7. Изготовление полосковых СВЧ резонаторов из
Ь3Се и измерение их добротностей.
Глава 3. ОБРАЗОВАНИЕ И СТАБИЛИЗАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ ФАЗЫ
А15 В ПЛЕНКАХ.
3.1. Свойства пленок № "бе , изготовленных в различных условиях.
3.1.1. Жесткие режимы.
3.1.2. Мягкие режимы.
3.2. Стабилизация фазы Nb3Ge кислородом.
3.2.1. Влияние присутствия кислорода при осаждении пленок Nb~Ge на их Т.,.
3.2.2. Морфология пленок Nb-Ge
3.2.3. Распределение химических элементов вблизи поверхности пленок Nb~Ge.
3.3. Взаимосвязь электрофизических характеристик и структуры пленок Nb-Ge
3.3.1. Рентгенографическое изучение пленок, полученных в мягких режимах.
3.3.2. Особенности структуры пленокК1Ь""6е,Полученных в жестких режимах.
3.3.3. Корреляции TR с резистивными характеристиками образцов и предельное значение Тк в NbjGe . ЮО
3.4. Синтез сверхпроводящей фазы Nb3St
3.4.1. Образование фазы AI5 в пленкахNb-Ge-Si.
3.4.2. Стабилизация фазы AI5 в пленках Nb~Si.
Глава 4. ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЕДИНЕНИЯ Nb3Ge
4.1. Температурная зависимость пленок NbjGe
4.2. Метод и алгоритм определения электронных характеристик.
4.3. Температурная зависимость сопротивления пленок Nb-Ge и Nb-Si,
Глава 5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.
5.1. Механизм роста и стабилизация ВСФ NbxGe и
3S; в пленках.
5.2. Зависимость электронных характеристик соединения N^Ge- от длины свободного пробега и температуры.
5.3. Факторы, определяющие высокие TR Nb^Ge и других соединений со структурой AI5.
Глава 6. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЛЕНОК МЦбе В КАЧЕСТВЕ ЭЛЕМЕНТОВ
МИКРО- И СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ.
6.1. Туннельные и мостиковые контакты на основе пленок NbsGe
6.2. Сверхпроводящие микрополосковые СВЧ резонаторы из