Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле Голубев, Олег Лазаревич

Короткий опис

Голубев, Олег Лазаревич.
Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.04. - Санкт-Петербург, 1999. - 461 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Голубев, Олег Лазаревич
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ, МЕТОДИКА И ТЕХНИКА
ПОЛЕВОЙ ЭМИССИОННОЙ МИКРОСКОПИИ
§1. Полевые эмиссионные методы изучения поверхности
§2. Полевая эмиссионная микроскопия
2.1. Общий принцип действия полевых эмиссионных микроскопов
2.2. Автоэлектронная эмиссия и полевая электронная микроскопия
2.3. Полевая ионизация и полевая ионная микроскопия
2.4. Полевая десорбционная микроскопия
2.5. Полевое испарение и полевая испарительная микроскопия
§3. Приборы и техника эксперимента
3.1. Установка комбинированного полевого эмиссионного микроскопа
3.2. Полевой электронный микроскоп отпаянного типа
3.3. Технология изготовления острий
3.4. Технология изготовления источников адсорбата
3.5. Измерение температуры
3.5.1. Оптическая пирометрия
3.5.2. Измерение температуры по изменению сопротивления
3.5.3. Учет нагревающего действия источника адсорбата
3.6. Техника электрических измерений
3.7. Техника регистрации изображений
3.8. Усиление яркости изображений
§4. Методы экспериментального определения некоторых
физических величин
4.1. Определение работы выхода
4.2. Определение напряженности электрического поля
4.3. Определение радиуса кривизны острия
4.4. Индексация полевых эмиссионных изображений
4.5. Математическая обработка результатов
ГЛАВА II. ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОПОЛЕВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА
НЕОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ
§1. Введение
§2. Обзор литературы
2.1. Взаимодействие атомов кремния с некоторыми переходными металлами
2.2. Адсорбция и конденсация никеля на вольфраме
2.3. Адсорбция и конденсация бериллия на вольфраме
2.4. Взаимодействие атомов углерода с вольфрамом
2.5. Выводы и постановка задачи
§3. Конденсация и кристаллический рост слоев кремния
на вольфраме и воздействие на них сильных
электрических полей и высоких температур
3.1. Введение
3.2. Монослойные покрытия кремния на вольфраме
и их роль в формировании структур конденсата
3.3. Термополевое воздействие на моноатомные слои кремния на вольфраме. Явление полевой реконструкции поверхности
3.4. Термополевое воздействие на «толстые» слои
кремния на вольфраме
3.5. Воздействие отбираемого эмиссионного тока на
слои кремния на вольфраме
§4. Взаимодействие атомов кремния с иридием при
термополевом воздействии
§5. Влияние атомов кремния на теромоплевые
формоизменения рения
§6. Влияние бериллия на термополевые
формоизменения вольфрама
§7. Термополевые формоизменения слоев никеля
на вольфраме
§8. Изучение полевого испарения карбидов вольфрама
8.1. Введение
8.2. Карбид, ориентированный гранью {0001}
8.3. Карбид, ориентированный гранью {1120}
8.4. Структура «ребристого кристалла»
8.5. Попытки получения упорядоченного полевого
ионного изображения поверхности карбида
8.6. Определение испаряющих полей для карбидов
8.7. О характере процесса полевого испарения карбидов и механизм испарения примесных атомов
с большими потенциалами ионизации
§9. Изучение процесса полевого испарения некоторых
материалов ВТСП
9.1. Введение
9.2. Определение работы выхода монокристаллов ВТСП
9.3. Оценка энергий связи в решетке ВТСП-монокристалла, механизм полевого испарения подобных соединений
§10. Выводы
ГЛАВА III ИЗУЧЕНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО
ПОЛЕВОГО ИСПАРЕНИЯ МЕТАЛЛОВ
§1. Введение
§2. Обзор литературы
2.1. Изучение полевого испарения металлов при высоких температурах
2.2. Выводы и постановка задачи
§3. Полевое испарение иридия и платины при высоких
температурах
3.1. Введение
3.2. Визуализация формоизменения острий в процессе термополевого воздействия, эффект схлопывания
колец
3.3. Величины испаряющих полей при различных температурах острия
3.4. Определение кинетических параметров высокотемпературного полевого испарения.
Общий характер явления
§4. Выводы
ГЛАВА IV. ИЗУЧЕНИЕ ФОРМОИЗМЕНЕНИЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ, ВЫЗВАННЫХ КОНДЕНСАЦИЕЙ
СОБСТВЕННОГО МАТЕРИАЛА
§1. Введение
§2. Обзор литературы
2.1. Изучение процессов конденсации с помощью полевых эмиссионных методов
2.2. Изучение процессов зародышеобразования
2.3. Изучение эпитаксиального роста
2.4. Изучение элементарного акта конденсации
2.5. Выводы и постановка задачи
§3. Формы роста некоторых тугоплавких металлов при
вакуумной конденсации собственного материала
3.1. Введение
3.2. Автоэпитаксиальный рост тантала
3.3. Механизмы перемещений атомов, приводящие
к различным стадиям формоизменения острий
3.4. Автоэпитаксиальный рост рения
3.5. Автоэпитаксиальный рост вольфрама и молибдена
§4. Новые методы определения энергии межатомного
взаимодействия на поверхности
4.1. Метод оценки энергий латерального взаимодействия
адсорбированных атомов
4.2. Метод оценки энергий перемещения атомов
на поверхности
§5. Конденсационные формоизменения острий,
подвергнутых термополевому воздействию
§6. О сходстве и различии конденсационных и
термополевых видов формоизменения острий
§7. Эмиссионные свойства эмиттеров, полученных
конденсацией собственного материала острия
§8. Выводы
ГЛАВА V. ИЗУЧЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ И СВОЙСТВ ТЕРМОПОЛЕВЫХ МИКРОВЫСТУПОВ НА ТАНТАЛЕ,
РЕНИЕ,ИРИДИЕ И ПЛАТИНЕ
§1. Введение
§2. Обзор литературы
2.1. Перестройка острий в электрическом поле
2.2. Влияние электрического поля на поверхностную самодиффузию и формоизменения острий
2.3. Определение величин коэффициента поверхностного натяжения
2.4. Термополевые микровыступы
2.5. Термополевые макронаросты
2.6. Общий характер формоизменения острий при термополевом воздействии
2.7. Модель формоизменения острий при конкуренции электростатических и лапласовых сил
2.8. Выводы и постановка задачи
§3. Экспериментальная проверка модели равновесия
электростатических и лапласовых сил
§4. Экспериментальное получение равновесных
микровыступов
§5. Определение коэффициента поверхностного натяжения
перестроенного острия
§6. Заострение, затупление микровыступов, управление
количеством микровыступов на поверхности
§7. Новый экспериментальный метод определения испаряющих полей. Величины испаряющих полей
для микровыступов
§8. Микровыступы как центры зарождения макронаростов. .371 §9. Микровыступы как точечные источники электронов
и ионов
§10. Термополевые формоизменения иридия, платины, тантала и рения в широком интервале изменения электрических полей и температур
10.1. Введение
10.2. Термополевые формоизменения иридия
10.3. Термополевые формоизменения платины
10.4. Термополевые формоизменения тантала
10.5. Термополевые формоизменения рения
§11. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ