Одноэлектронные наноструктуры и устройства на их основе Крупенин, Владимир Александрович

Короткий опис

Крупенин,ВладимирАлександрович.Одноэлектронныенаноструктурыиустройстванаихоснове: диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.04 /КрупенинВладимирАлександрович; [Место защиты: Моск. гос. ун-т им. М.В. Ломоносова]. - Москва, 2018. - 266 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ На правах рукописиКРУПЕНИНВладимирАлександровичОДНОЭЛЕКТРОННЫЕНАНОСТРУКТУРЫИУСТРОЙСТВАНА ИХОСНОВЕ01.04.04 - физическая электроника Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Москва

стр. 6
возможностей. Уменьшение размеров элементоводноэлектронныхструктур привело к созданию одноатомныхустройств, например,одноэлектронныхтранзисторов, размер базовых

стр. 10
при разработкеустройствна ихосновеилиустройств, использующих элементы наосноветаких структур. Результаты, полученные в ходе исследования свойств

Оглавление диссертациикандидат наук Крупенин, Владимир Александрович
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 5 ГЛАВА 1. ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР -
СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОМЕТР
1.1. Одноэлектронный транзистор как сверхчувствительный электрометр. Предел чувствительности электрометра
1.2. Фоновый эффективный заряд. Флуктуации фонового заряда
1.3. Одноэлектронный транзистор на основе Л1/ЛЮХ/Л1 туннельных переходов 32 Изготовление образцов 32 Методика измерений 36 Результаты измерений 39 Сверхпроводящий транзистор 54 Обсуждение результатов
1.4. Одноэлектронный транзистор с резистивными элементами
вместо туннельных переходов
Изготовление образцов
Результаты измерений
Обсуждение результатов
1.5. Одноэлектронный транзистор на основе высоколегированного кремния на изоляторе 73 Изготовление образцов 74 Результаты измерений 79 Обсуждение результатов
1.6. Одноатомный транзистор на основе единичных примесных атомов в кремнии 88 Изготовление образцов 91 Результаты измерений 93 Обсуждение результатов
ГЛАВА 2. ИСТОЧНИКИ ФЛУКТУАЦИЙ В ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ
СТРУКТУРАХ
2.1. Корреляционный подход к изучению источников флукту-
аций в одноэлектронных структурах
Изготовление образцов
Результаты измерений
Обсуждение результатов
2.2. Одноэлектронный транзистор стековой геометрии 112 Изготовление образцов 112 Результаты измерений 116 Обсуждение результатов
2.3. Шунтированный стековый транзистор 127 Изготовление образцов 129 Результаты измерений 130 Обсуждение результатов 136 ГЛАВА 3. ЭФФЕКТЫ ВЗАИМНОГО ВЛИЯНИЯ ВО МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ
3.1. Характеристики образцов и методика измерений
3.2. Зарядовые состояния и спектр одноэлектронных колебаний
в транзисторе при различных значениях транспортного тока
Результаты измерений и численного моделирования
Обсуждение результатов
3.3. Взаимодействие в системе близкорасположенных одноэлектронных транзисторов с емкостной связью 152 Результаты измерений и численного моделирования 152 Обсуждение результатов 160 ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В НЕОДНОРОДНЫХ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ 162 4.1. Асимметричный одноэлектронный транзистор 164 Изготовление образцов
Результаты измерений 168 Численное моделирование характеристик асимметричного
транзистора
Обсуждение результатов 178 4.2. Двумерные массивы наноразмерных проводящих островов,
разделенных туннельными переходами
Изготовление образцов
Результаты измерений и численного моделирования
Обсуждение результатов 204 ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ СОСТОЯНИЙ И ПОТЕНЦИАЛЬНОГО ПРОФИЛЯ МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО
ТРАНЗИСТОРА
5.1. Исследование зарядовой динамики одноэлектронной ловушки 206 Изготовление образцов 209 Измерительная система и методика измерений 210 Результаты измерений 212 Обсуждение результатов
5.2. Исследование потенциального профиля двумерного газа
в структурах с квантовым эффектом Холла
Измерительная система и методика измерений
Результаты измерений
Обсуждение результатов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Список работ по теме диссертации