Резонансные и локализованные состояния d- и f-электронов в полупроводниках Кикоин, Константин Абрамович

Короткий опис

Кикоин, Константин Абрамович (1945-).Резонансные и локализованные состояния d- и f-электронов в полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Москва, 1984. - 300 с. : ил.

Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Кикоин, Константин Абрамович
ВВЕДЕНИЕ.
ЧАСТЬ I. ПОЛУПРОВОДНИКИ С ПРИМЕСЯМИ 3d-r,МЕТАЛЛОВ
ОДНОУЗЕЛЬНАЯ МОДЕЛЬ АНДЕРСОНА).
История вопроса . II
Глава I. Природа глубоких уровней
Глава 2. Одноэлектронная задача (конфигурация d1)
2.1. Примесь, как рассеивающий центр: зонный подход.
2.2. Матрица, как поле лигандов: обобщение теории кристаллического поля.
2.3. Спин-орбитальное взаимодействие
2.4. Альтернативные подходы к расчету глубоких уровней.
Глава 3. Многоэлектронная задача (конфигурация dn )
3.1. Статистика локализованных состояний и примесный псевдоатом.
3.2. Генеалогическая схема и параметры Рака
Глава 4. Многозарядные состояния и переходы с изменением валентности.
4.1. Шкала энергий и теорема Купманса
4.2. Одноэлектронное и многоэлектронное описание переходов с изменением валентности
4.3. Гетерополярные и гомеополярные многозарядные состояния.
Глава 5. Примесные экситоны.
5.1. Амфотерный захват экситонов Зс1-примесями
5.2. Генеалогическая схема и квантовые числа экситонов.
5.3. Оптические переходы и эффект гигантского увеличения силы осциллятора.
5.4. Сравнение с экспериментом
Глава 6. Оптические свойства Зс1-центров в ковалентных полупроводниках
6.1. Внутрщентровые переходы, линейный эффект Штарка.
6.2. Фотоионизация. Эффективное сечение и правила отбора.
6.3. k-p-теория фотоионизации: трехзонная модель Кейна.
6.4. k-р-теория фотоионизации: четырехзонная модель Кейна.
Глава 7. Некоторые приложения теории глубоких уровней.
7.1. Резонансные состояния в зоне проводимости.
7.2. Глубокие уровни под давлением
Глава 8. Взаимодействие Зс1-цримесей с решеткой.
8.1. Ковалентный механизм эффекта Яна-Теллера
8.2. Связанные состояния Зс1-примеси и вакансии.
Выводы.
ЧАСТЬ 2. ПОЛУПРОВОДНИКИ СО ЩИПАННОЙ ВАЛЕНТНОСТЬЮ
ПЕРИОДИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ АНДЕРСОНА).
История вопроса
Глава 9. Общие закономерности изменения валентности в редкоземельных полупроводниках
9.1. Статистическая механика систем с изменяющейся валентностью
9.2. О возможности перехода Мотта-Хаббарда в валентной зоне редкоземельного полупроводника
Глава 10.Теория перехода "полупроводник-полупроводник с промежуточной валентностью в сульфиде самария
IO.I. Физические -свойства SmS в "черной" ^золотой" фазах.
10.2. Экситоны в "черной" фазе SmS.
10.3. Основное состояние "золотой" фазы SmS
10.4. Переход из "черной" фазы в "золотую"
Глава II. Элементарные возбуждения в полупроводнике с промежуточной валентностью
11.1. Электроны и дырки. Экситоны.
11.2. Фононы, поляроны.
Глава 12. Физические свойства реальных полупроводников с промежуточной валентностью
12.1. Роль дефектов в формировании основного состояния
12.2. Химический коллапс в твердых растворах S™ ^MS
12.3. Интерпретация экспериментальных данных
Выводы.