Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич

Короткий опис

Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич.
Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Миловзоров Дмитрий Евгеньевич; [Место защиты: Нац. исслед. ун-т МЭИ]. - Москва, [20--?]. - 448 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич

1.14 Экспериментальное исследование образования кристаллов кремния
Глава 2 Оптические и структурные свойства нанокристаллического гидрогенизированного кремния
2.1 Методы исследования пленок кремния
2.2 Рамановская спектроскопия пленок нанокристаллического
гидрогенизированного кремния
2.3 Рамановские спектры и фононные моды в кремнии
2.4 Влияние электрического поля на Рамановские спектры пленок кремния осажденных на стеклянную подложку
2.5 Модель образования заряженного состояния на поверхности
2.6 Сравнение данных атомно-силовой микроскопии с данными
175
фотолюминесцентной спектроскопии и Рамановской спектроскопии
2.7 Роль травления в изготовлении пленок кремния со значительными фотолюминесцентными свойствами
2.8 Спектральные характеристики однородно ориентированных (111) пленок кремния при низких температурах менее 100°С и различной интенсивности травления пленки
2.9 Корреляция спектральных характеристик пленок кремния изготовленных при Т=300°С
2.10 Фотолюминесцентные свойства пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния
2.11 Размерная зависимость фотолюминесценции пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния
2.12 Влияние ВЧ разряда на спектральные характеристики
2.13 Спектры пропускания и поглощения пленок гидрогенизированного нанокристаллического кремния в видимом диапазоне
Глава 3 Квантовые свойства точечных дефектов и поверхностных состояний в пленке нанокристаллического кремния с ориентацией (111)
3.1 Лазерная спектроскопия пикосекундных импульсов для изучения кинетики рекомбинации носителей в кремнии
3.2 Спектры электронного парамагнитного резонанса в пленках нанокристаллического кремния
3.3 Формирование поверхностных состояний в кремнии
3.4 Проводимость нанокристаллического гидрогенизированного кремния
3.5 Вольт-амперные характеристики пленок кремния
3.6 Нелинейности возникающие в вольт-амперной характеристике пленки нанокристаллического кремния
3.7 Спектральная характеристика тока в пленке нанокристаллического гидрогенизированного кремния
Глава 4 Генерация второй отраженной гармоники во фторированных и оксидированных пленках кремния
4.1 Генерация второй гармоники поверхностью кремния (111)
4.2 Нелинейная поляризация пленки кремния
4.3 Тензор нелинейной восприимчивости %2
4.4. Спектры ГВГ гидрогенизированных нанокристаллических пленок кремния с примесями атомов кислорода и фтора
4.5 Нерезонансная ГВГ
4.6 Спектральные характеристики резонансной ГВГ пленки гидрогенизированного кремния (111) с размером нанокристаллов 8.45 нм, 9.7 нм, 12.1 нм и 16.1 нм
4.7 Морфология поверхности пленок кремния и резонансный отклик ГВГ
4.8 Спектральные характеристики резонансной ГВГ нанокристаллических пленок кремния содержащих кристаллы 24 нм и 27 нм
4.9 Резонансная генерация второй гармоники (ГВГ) пленками гидрогенизированного нанокристаллического кремния с примесными атомами фтора
4.10 Модель Ван дер Ваальсового взаимодействия в пленках кремния
4.11 Размерно-зависимый сигнал ГВГ для пленок кремния с размерами нанокристаллов в диапазоне от 7.5 нм до 27 нм
Глава 5 Возможности построения микро- и наноэлектронных приборов на основе пленок нанокристаллического кремния
5.1 Полевые транзисторные структуры на основе тонкопленочного нанокристаллического кремния
5.2 Устройства памяти на основе нанокристалличнеского кремния
5.2.1 Устройство памяти на основе тонкопленочного транзистора на основе оксидированного нанокристаллического кремния
5.2.2 Устройство памяти на А дефектах в нанокристаллическом кремнии (111)
5.3 Резонансный полупроводниковый прибор на основе квантовых биений
5.4 Фотостимулированные некогерентные процессы при воздействии лазерного излучения на цепочку двухуровненвых систем
5.5 Фторосиликаты для волоконной оптики
5.6 Нелинейно-оптический переключатель
5.7 Акустоэлектрооптический прибор для переключения мод в волоконном лазере
5.7.1 Моделирование процесса переключения мод в твердотельном лазере с помощью АОМ
5.7.2 Двухрезонаторный режим работы волоконно-оптического лазера
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список литературы:
422