Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях Баязитов, Рустэм Махмудович

Короткий опис

Баязитов, Рустэм Махмудович.
Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Казань, 1999. - 205 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Баязитов, Рустэм Махмудович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ФОТОННЫХ И КОРПУСКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ.
1.1. Механизмы взаимодействия световых потоков с полупроводниками
1.2. Взаимодействие корпускулярных пучков с полупроводниками.
1.3. Особенности кристаллизации и фазовых превращений в полупроводниках при импульсном воздействии в различных диапазонах длительности.
1.3.1. Общая характеристика направления импульсно-лучевой модификации полупроводников.
1.3.2. Трансформация структуры и поведение примеси при импульсносветовой обработке в наносекундном диапазоне длительности. Физичес-ские модели лазерного отжига имплантированных полупроводников.
1.3.3. Процессы твердофазной кристаллизации и особенности плавления при обработках в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса.
Выводы к гл.1 и обоснование целей работы.
ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Подготовка образцов, техника ионного легирования и термической обработки.
2.2. Техника импульсно-лазерной обработки образцов.
2.3. Техника импульсной обработки ионными и электронными пучками.
2.4. Техника импульсно-фотонной обработки в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса.
2.5. Методика исследований электрофизических параметров, структуры, элементного состава приповерхностных областей.
ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЫДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ, НАГРЕВА, ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ И ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ ПРИ ИМПУЛЬСНО-ЛУЧЕВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.
3.1.Моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации с учетом пространственно-временного распределения выделения энергии излучения в полупроводниках.
3.1.1. Постановка задачи.
3.1.2. Методика численных расчетов температурного поля при импульсных воздействиях.:.
3.1.3. Методика учета пространственно-временного распределения поглощения различных видов излучения.
3.2. Моделирование процессов перераспределения примеси при импульсно-лучевых обработках.
ГЛАВА 4. РАСЧЕТЫ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ И ДИНАМИКИ
ПЛАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ИМПУЛЬСНЫХ СВЕТОВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.
4.1. Компьютерное моделирование нагрева и динамики плавления имплантированных полупроводников.
4.2. Компьютерное моделирование для решения «обратной» задачи нагрева излучением.
4.3. Аналитические методы расчетов температуры до порога плавления. Классификация режимоц нагрева излучением.
4.4. Компьютерное моделирование и аналитические оценки зависимостей параметров плавления от длительности импульса.
ГЛАВА 5. СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРОЦЕССЕ ИМПУЛЬСНО-СВЕТОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ.
5.1. Трансформация структуры и поведение примеси в имплантированном кремнии и арсениде галлия в наносекундном диапазоне длительностей воздействия.
5.1.1.Поведение хорошо растворимых примесей и их электрическая активация в кремнии.
5.1.2. Поведение малорастворимых в кремнии примесей.
5.1.3. Динамика фазовых и структурных переходов в имплантированном кремнии.
5.1.4. Низкотемпературное управление прозрачностью кремния при лазерном отжиге.
5.2. Кристаллизация и аморфизация полупроводников при воздействии су бнаносекундными импульсами.
5 .3. Особенности плавления и кристаллизации импульсами миллисекунд-ного и секундного диапазонов длительности.
ГЛАВА 6. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ С ИМПЛАНТИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКАМИ.
6.1. Специфика нагрева и динамика плавления полупроводников импульсными ионными пучками по результатам компьютерного моделирования.;.
6.2. Структурно-фазовые изменения и поведение примеси при импульсно-ионной обработке имплантированного кремния.
6.3. Поведение примеси и ее электрическая активация в арсениде галлия при импульсно- ионной обработке.
6.4. Термическая устойчивость пересыщенных твердых растворов кремния и арсенида галлия.