Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов Лопатин, Дмитрий Валерьевич

Короткий опис

Лопатин, Дмитрий Валерьевич.
Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Тамбов, 1999. - 139 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Лопатин, Дмитрий Валерьевич
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1 Критерии разграничения "сильного" и "слабого" магнитных полей и их воздействия на физические процессы
1.2 Экспериментальные данные по магнитопластическим и другим магнитным эффектам в ионных, ковалентных и молекулярных кристаллах
1.2.1 Влияние магнитного поля на процесс взаимодействия парамагнитных центров в объеме кристалла и в ядре дислокации
1.2.2 Эффекты, связанные с изменением в магнитном поле состояния точечных дефектов в объеме и на поверхности кристалла
1.2.3 Возможные объекты в кристалле, которые могут быть подвержены действию магнитного поля
1.3 Влияние слабых магнитных полей на протекание спин-зависимых реакций в твердых телах
1.3.1 Механизм влияния магнитного поля на спин-зависимые химические реакции
1.3.2 Магнито-спиновые эффекты в молекулярных, полупроводниковых и ионных кристаллах
1.4 Физические свойства фуллеритов
1.4.1 Перспективы использования фуллеритов в технике, электронике, химии и биологии
1.4.2. Пластические свойства фуллеритов
1.4.3 Электронное строение идеальной решетки фуллеритов и их магнитные и электрические свойства
1.5. Постановка целей и задач исследования
Глава 2. Методика исследований
2.1 Методика получения и измерения магнитных полей до 30 Тл
2.2 Методика исследования подвижности индивидуальных дислокаций, инициированной магнитным полем без приложения внешней механической нагрузки
2.3 Методика исследования влияния магнитного поля на изменение микротвердости ионных и молекулярных кристаллов
2.4 Методика исследования фотопроводимости фуллерита С6о в постоянном магнитном поле
2.5 Выводы
Глава 3. Изменение пластичности ионных и молекулярных кристаллов в результате влияния магнитного поля
3.1 Необратимость изменения состояния метастабильных точечных дефектов под влиянием слабого магнитного поля
3.2 Влияние умеренных магнитных полей на пробеги индивидуальных дислокаций в ионных кристаллах
3.3 Обратимость изменения на микропластичность ионных кристаллов под влиянием магнитных полей с индукцией до 30 Тл
3.4 Выделение полевых зависимостей для разных типов точечных дефектов
3.5 Влияние импульсного магнитного поля на пластические свойства молекулярных кристаллов Сбо
3.6 Возможные механизмы влияния умеренного магнитного поля на пластичность ионных и молекулярных кристаллов
3.7 Выводы
Глава 4. Возбуждение точечных дефектов немагнитными воздействиями и инициирование их перехода в магниточувствительное состояние
4.1 Роль термообработки в формировании чувствительности точечных дефектов в ионных кристаллах к магнитному полю
4.2 Влияние релаксационных процессов вблизи свежеобразованной поверхности на магнитопластические эффекты в ионных кристаллах
4.3 Сенсибилизация радиационно-окрашенных кристаллов к действию магнитного поля Р-светом
4.4 Модели влияния немагнитных факторов на магниточувствительное состояние точечных дефектов
4.5 Выводы
Глава 5. Влияние магнитного поля на фотопроводимость фуллерита Сбо
5.1 Экспериментальные данные о влиянии магнитного поля на фотопроводимость СбО
5.2 Модель влияния магнитного поля на электронные переходы в подсистеме фотовозбужденных молекул фуллерита
5.3 Выводы