ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОЩУВАННЯ МІКРОВІСКЕРІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ InAs1-ХSbХ ДЛЯ ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ СЕНСОРІВ

Краткое содержание

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обґрунтовано актуальність теми та сформульовано мету і задачі

проведених досліджень, представлені методи, об’єкт і предмет досліджень, ви-

значено наукову новизну отриманих результатів та їх практичне значення, на-

ведені дані щодо апробації та особистого внеску автора в отримані результати.

У першому розділі дано аналіз проблеми, що вирішується в дисертаційній

роботі, та сформульовано основні задачі для вирішення проблеми. Дано загаль-

ну характеристику твердих розчинів напівпровідникових матеріалів. Наведені

_______основні властивості бінарних сполук InSb та InAs, які є основою твердого роз-

чину InAs1-xSbx, а також основні властивості цього твердого розчину в порів-

нянні з властивостями бінарних сполук. Показана перспективність досліджува-

ного твердого розчину в практичних застосуваннях в лазерних та світлодіодних

структурах, а також у сенсорній електроніці.

Проаналізовані існуючі методи отримання твердого розчину InAs1-xSbx з

розчину-розплаву, методами рідиннофазової та МОС-гідридної епітаксії та їх

недоліки. Обґрунтований вибір методу хімічних транспортних реакцій при

отриманні віскерів з газової фази, основна перевага якого полягає в отриманні

кристалів високої структурної якості, оскільки він позбавлений тих недоліків,

які пов’язані з проблемою неузгодженості параметрів кристалічної гратки епі-

таксійної плівки з підкладкою.

Відзначено деякі особливості механізму росту віскерів з газової фази, се-

ред яких механізм пара-рідина-кристал (механізм ПРК) та механізм оствальдо-

вого дозрівання. На основі цього аналізу сформульовані задачі дисертаційних

досліджень.

Другій розділ присвячено моделюванню фізико-хімічних _______процесів, що від-

буваються при вирощуванні віскерів твердого розчину InAs1-xSbx в газовій фазі

хлоридної системи. Аналіз складу газової фази системи InAs-Sb-HCl дозволив

6

визначити основні компоненти газової фази, які приймають участь в транспор-

тних реакціях: InCl, InCl2, InCl3, As2, As4, Sb2 та Sb4. При цьому було показано,

що в досліджуваному інтервалі температури (600÷1000) К введений в систему

HCl практично весь вступає в хімічну реакцію з вихідними речовинами в поча-

тковій стадії процесу термообробки, в результаті чого утворюються хлориди

індію InCl та InCl2. Доведено, що залишкова концентрація HCl в порівнянні з

концентраціями основних компонентів настільки незначна, що нею можна нех-

тувати, а реакції з його участю – видалити з подальших розрахунків.

Для визначення хімічного переносу в системі InAs-Sb-HCl був проведений

термодинамічний аналіз всіх можливих реакцій між основними компонентами

газової фази. Аналіз розрахунку температурної залежності констант рівноваги