Аношкин Юрий Владимирович. Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
Кол-во страниц:
219
ВУЗ:
Пенз. гос. ун-т
Год защиты:
2009
Краткое описание:
Аношкин Юрий Владимирович. Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : диссертация ... кандидата технических наук : 05.11.14 / Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т].- Пенза, 2009.- 219 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-5/1171