Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов Сорокин, Лев Михайлович

Краткое описание

Сорокин, Лев Михайлович.
Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 420 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Сорокин, Лев Михайлович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I» Собственные точечные дефекты в кремнии
§ I.I. Модели точечных дефектов в кремнии
1.1.1. Вакансионная модель
1.1.2. Межузельная модель
1.1.3. Комбинированная вакансионно-межузельная модель
§ 1.2. Энтропийный барьер рекомбинации пары вакансия - межузельный атом при высоких температурах
ГЛАВА П. Физические основы процессов формирования изображений в просвечивающей электронной микроскопии
§ 2.1. Динамическая теория дифракции электронов волново-оптическая формулировка)
2.1.1. Амплитуда дифрагированной волны. 4
2.1.2. Елоховские волны для идеального и несовершенного кристаллов
§ 2.2. Однолучевая дифракционная электронная микроскопия
2.2.1. Условия применимости приближения одно-лучевой дифракционной электронной микроскопии
2.2.2. Влияние дифракционных условий и местоположения дефекта на однолучевой контраст
ГЛАВА Ш. Новые методические разработки,обусловившие современный уровень исследований
§ 3.1. Получение тонких кристаллов кремния германия ,арсенида галлия и твердых растворов на их основе для просвечивающей электронной микроскопии.
3.1.1. Получение тонких кристаллов кремния с помощью фотолитографии и динамического травления
3.1.2. Метод химико-динамического травления
3.1.3. Методика приготовления образцов кремния большой площади
§ 3.2. Метод дифракционной микроскопии с оттенением.
§ 3.3. Метод дифракционного анализа геликоидельных дислокаций
§ 3.4. Метод однозначного определения знака вектора Бюргерса произвольной дислокации . 87 Выводы
ГЛАВА 1У. Дефектообразование в термообработанных кристаллах кремния, выращенных методом
Чохральского
§ 4.1. Кислород в кремнии и выход годных полупроводниковых приборов
§ 4.2. Характеристика дефектов,образующихся в результате распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии при высоких температурах (выше 900°С)
4-.2.1. Распад пересыщенного твердого раствора при изотермическом отжиге
4.2.2. Модель преципитата и механизм выдавливания дислокационных петель
4.2.В. Моделирование электронно-микроскопических изображений дислокационных конфигураций
4.2.4. Механизм генерации дефектов упаковки, сопутствующих распаду пересыщенного твердого раствора
§ 4.3. Характеристика других вторичных дефектов, образующихся в результате распада твердого раствора в системе кремний-кислород.
4.3.1. Полные призматические дислокационные петли.
4.3.2. Геликоидальные дислокации
4.3.3. Колонии преципитатов
§4.4. Распад твердого раствора кислорода в дислокационном кремнии
§4.5. Низкотемпературный распад твердого раствора кислорода в кремнии
4.5.1. Стеркнеобразные дефекты, образующиеся при одноступенчатом отжиге
4.5.2. Трансформация стержнеобразных дефектов при двухступенчатом отжиге
§ 4.6. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей кристаллами кремния,содержащими стержнеобразные дефекты
§ 4.7. Влияние углерода на преципитацию кислорода в кремнии.
В ы в о д ы
ГЛАВА У. Дефектообразование в монокристаллах кремния бестигельной зонной плавки
§ 5.1. Поведение монокристаллов кремния бестигельной зонной плавки при высокотемпературном отжиге
5.1.1. Изменение структурного совершенства кремния в зависимости от атмосферы высокотемпературного отжига
5.1.2. Структурные изменения при высокотемпературном отжиге в зависимости от атмосферы выращивания
§ 5.2. Микродефекты в бездислокационных монокристаллах кремния (обзор литературных данных
5.2.1. Микродефекты и качество полупроводниковых приборов
5.2.2. Модели образования и роста микродефектов
Выводы
§ 5.3. Электронно-микроскопическое исследование микродефектов в монокристаллах кремния, полученных при больших скоростях выращивания (оригинальные исследования)
§ 5Л. Трансформация микродефектов под влиянием температурных воздействий
В ы в о д ы
ГЛАВА У1. Распад твердого раствора и образование вторичных дефектов в системе кремний-сурьма.
§ 6.1. Природа дислокационных петель,образующихся при распаде твердого раствора сурьмы в кремнии
§ 6.2. Механизм образования дефектов после высокотемпературного отжига.
§ 6.3. Изменение электросопротивления в процессе распада твердого раствора
§6.4. Влияние примесной атмосферы около петли
Франка на ее равновесную конфигурацию
§ 6.5. Анализ асимметричного контраста темнополь-ных изображений больших дислокационных петель
§ 6.6. Взаимодействие точечных дефектов,обусловленных облучением в ним , с дислокационными петлями Франка
В ы в о д ы
ГЛАВА УП. Фазообразование в системе кремний-фосфор при введении диффузанта
§ 7.1. Методика эксперимента
§ 7.2. Дефекты, образующиеся после первой стадии диффузии
§ 7.3. Дефекты, образующиеся после второй стадии диффузии.
§ 7.4. Природа выделений, образующихся при диффузии фосфора в кремний
§ 7.5. Влияние процессов фазообразования на особенности диффузии фосфора в кремнии
§ 7.6. Природа избыточных точечных дефектов,образующихся при диффузии фосфора в кремнии. 286 В ы в о д ы
ГЛАВА УШ. Исследование дефектной структуры кристаллов распадающихся твердых растворов на основе германия
§ 8.1. Структура распадающегося твердого раствора германий-мышьяк
8.1.1. Прецизионные измерения параметра решетки твердого раствора с учетом неоднородного распределения мышьяка по кристаллу.
8.1.2. Измерение интегрального диффузионного рассеяния,обусловленного распадом твердого раствора.
8.1.3. Определение концентрации дефектов из измерений диффузного рассеяния
8.1.4. Исследование дефектов распада методом
3-х кристальной дифрактометрии
8.1.5. Особенности распределения диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений при дифракции рентгеновских лучей
Выводы
§ 8.2. Распад пересыщенного твердого раствора лития в германии
8.2.1. Зарождение центров новой фазы
8.2.2. Барьер полупроводник-фаза
8.2.3. Природа центров распада
В ы в о д ы
ГЛАВА IX. Электронно-микроскопическое исследование структурных дефектов в кристаллах арсени-да галлия, обусловленных распадом твердого раствора.
§ 9.1. Природа призматических дислокационных петель и дефектов упаковки
§ 9.2. Атомная структура двумерных дефектов
В ы в о д ы