Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N Баранов Артем Игоревич

Краткое описание

Баранов, Артем Игоревич.
Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Баранов Артем Игоревич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]. - Санкт-Петербург, 2019. - 185 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Баранов Артем Игоревич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
Введение
1.1 Развитие солнечной энергетики
1.2 МСЭ на подложках Ge и GaAs
1.2.1 InGaAsN на Ge
1.3 МСЭ на подложках Si
1.3.1 GaAs на Si
1.3.2 GaP на Si
1.3.3 InGaPAsN на Si
1.3.4 Зонная структура и свойства разбавленных нитридов
1.3.5 Альтернативные пути роста GaP на Si подложках
Выводы к Главе
Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТЫ И МЕТОДЫ
Введение
2.1 Методы роста
2.1.1 Молекулярно-пучковая эпитаксия
2.1.2 Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение
2.2 Постростовая обработка
2.2.1 Формирование контактов
2.2.2 Методы травления
2.2.3 Постростовая технология формирования меза-структур
2.3 Экспериментальные методы
2.3.1 Вольт-амперная характеристика
2.3.2 Квантовая эффективность и оптические измерения
2.3.3 Вольт-фарадная характеристика
2.3.4 Спектроскопия полной проводимости
2.3.5 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней
2.3.6 Структурные методы
2.4 Компьютерное моделирование
Выводы к Главе
Глава 3. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ InGaAsN
Введение
3.1 Подготовка образцов
3.2 Фотоэлектрические свойства
3.3 Емкостные измерения
3.3.1 Квазиравновесные емкостные измерения
3.3.2 НСГУ измерения
3.4 Структурные свойства
3.5 Компьютерное моделирование внешней квантовой эффективности
Выводы к Главе
Глава 4. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ InGaPAsN
Введение
4.1 Однопереходные СЭ, выращенные на GaP подложках
4.1.1 Описание образцов
4.1.2 Квантовая эффективность и вольт-амперные характеристики однопереходных солнечных элементов
4.1.3 Спектроскопия полной проводимости
4.1.4 Вольт-фарадные характеристики
4.1.5 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней
4.2 Двухпереходные солнечные элементы на Si подложках
4.2.1 Описание образцов
4.2.2 Квантовая эффективность и вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов
4.2.3 Емкостные измерения двухпереходных солнечных элементов
4.3 Влияние постростового отжига вне ростовой камеры
Выводы к Главе
Глава 5. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ СЛОЕВ ОаР
Введение
5.1 Описание образцов
5.2 Электронные свойства
5.3 Влияние АС-ПХО ОаР на качество кремниевых подложек
Выводы к Главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ПРОЕКТА
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ А. ФОРМИРОВАНИЕ КОНТАКТОВ К ОДНОПЕРЕХОДНЫМ СЭ НА ПОДЛОЖКАХ ОаР
ПРИЛОЖЕНИЕ Б. СПЕКТРАЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СЭ С РАЗБАВЛЕННЫМИ НИТРИДАМИ
ПРИЛОЖЕНИЕ В. ФОРМИРОВАНИЕ КОНТАКТОВ К МНОГОПЕРЕХОДНЫМ СЭ на ПОДЛОЖКАХ
ВВЕДЕНИЕ