Фотоэмиссия поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых гетероструктур Амбражей, Антон Николаевич

Краткое описание

Амбражей, Антон Николаевич.
Фотоэмиссия поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых гетероструктур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Санкт-Петербург, 1999. - 148 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Амбражей, Антон Николаевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Поляризация. Определение, основные понятия, связанные с поляризацией.
1.2. Механизм оптической ориентации в полупроводниковых кристаллах группы А3В5.
1.3. Создание отрицательного электронного сродства.
1.4. Эмиссия поляризованных электронов из тонких напряженных пленок.
1.5. Эффект ограничения заряда эмиссии.
1.6.Эмиссия электронов из сверхрешеток.
1.6.1. Понятие о сверхрешетках. Их основные типы.
1.6.2 Ненапряженная сверхрешетка АЮаАв-СаАв.
1.6.3. Напряженная сверхрешетка ГпСаАв-СаАя.
1.6.4. Напряженная сверхрешетка ГпСаАв-АЮаАв.
1.6.5. Напряженная СаАя/СаАвР сверхрешетка.
1.7. Эффект ограничения заряда фотоэмиссии в сверхрешетках.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА.
2.1. Конструкция вакуумной установки.
2.2. Система сверхвысоковакуумной откачки.
2.3. Оптическая система.
2.4. Детектор Мотта.
Оглавление
2.5. Компьютерное управление.
2.5.1. Измерение спектра лампы.
2.5.2. Измерение квантового выхода.
2.5.3. Измерение поляризации.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВЕРХРЕШЕТОК С МИНИМАЛЬНЫМ РАЗРЫВОМ ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ.
3.1. Напряженные сверхрешетки АПпОаАв/СаАв.
Образец 3-171.
Образец 3-335.
Образец 3-336.
Образцы 3-382, 3-383.
3.2. Широкозонные напряженные сверхрешетки с минимальным разрывом зоны проводимости.
Образец 3-657.
Образец 3-895.
Образец 3-896.
Образец 3-910.