Исследование физических свойств компенсированного марганцем кремния и структур на его основе Азизов, Камил Азизович

Краткое описание

Азизов, Камил Азизович.Исследование физических свойств компенсированного марганцем кремния и структур на его основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ташкент, 1984. - 182 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Азизов, Камил Азизович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В КОМПЕНСИРОВАННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
§1. Электрические и гальваномагнитные свойства компенсированных и сильно компенсированных полупроводников.
§2. Особенности фотоэлектрических свойств компенсированных полупроводников.
§3. Некоторые соображения о неоднородных полупроводниках.
ГЛАВА П. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ КОМПЕНСАЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ПРИМЕСИ.
§1. Технология легирования кремния марганцем различными способами.
§2. Технология изготовления компенсированного марганцем кремния со специальными контактами.
§3. Установки для исследования электрических и фотоэлектрических свойств.
§4. Методика измерения сационарных вольтамперных характеристик.
§5. Методика измерения магнитосопротивления образца.
§6. Погрешности измерений.
ГЛАВА Ш. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ.
§1. Поведение марганца в кремнии в зависимости от степени компенсации и параметров исходного материала.
§2. Особенности электрических свойств сильно компенсированного марганцем кремния.
§3. Исследование магнитосопротивления компенсированного марганцем кремния.
§4. Обсуждение результатов.
КРАТКИЕ ВЫВ0.1Р.
ГЛАВА 1У. ФОТО-И ОСТАТОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ КОМПЕНСАЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ПРИМЕСИ.
§1. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на фотоэлектрические свойства.
§2. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на температурное и инфракрасное гашение фотопроводимости.
§3. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на остаточную проводимость.
§4. Фотоэлектрические свойства компенсированного кремния, легированного при выращивании.НО
§5. Влияние % -облучения на электрические и фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния. ^^
§6. Обсуждение результатов.
КРАТКИЕ ВЫВОДЫ.
ГЛАВА У. ОСОБЕННОСТИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОМ МАРГАНЦЕМ КРЕМНИИ.
§1. Токи монополярной инжекции.в компенсированном марганцем кремнии.
§2. Фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния при наличии монополярной инжекции.
§3. Стимулированная полем остаточная проводимость.
§4. Обсуждение результатов.
КРАТКИЕ ВЫВОДЫ.
НЕКОТОРЫЕ В03М0Ш0СТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ.
ОБЩИЕ ВЫВОДИ.