Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP Тулашвили, Эремия Вахтангович
- Альтернативное название:
- Study of radiative recombination in wide-bandgap heterostructures in the InGaAsP system Tulashvili, Eremia Vakhtangovich
- Краткое описание:
- Тулашвили, Эремия Вахтангович.
Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 158 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Тулашвили, Эремия Вахтангович
Стр.
Введение.
Глава первая ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ И ГЕТЕРО СТРУКТУРЫ
В СИСТЕМАХ Inj^Ga^ И Inj^Ga^A&yPj^ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
§ I. Гетероструятуры на основе соединений к^В^
§ 2. Методы получения и свойства твердых растворов
1п1-хеахр и ^I-x^^I-y. •
§ 3. Инжекционные лазеры на основе широко зонных гетероструктур в системе In-Ga-As-P.2.
Глава вторая МЕТОДИКА ЗКСЖЕРИМЕНТОВ.
§ I. Исследованные образцы . £
§ 2. Возбуждение и регистрация спектров .фото- и. электролюминесценции. 32.
2.1. Низкий уровень фотовозбувдения
2.2. Высокий уровень фотовозбувдения.
2.3. Возбуждение и регистрация спектров электролюминесценции.
§ 3. Измерение квантового выхода фотолюминесценции
§ 4. Прочие методики и установки
Глава третья ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ Inj^Ga^ASyPj^ И СПЕКТРЫ ИХ ЛКШШЭДВДШ
§ I. Общий характер спектров люминесценции и границы необратимых изменений поверхностных условий . ^
§ 2. Коэффициент преломления, спектры поглощения и. лвжинесценщи IiiQ^gGaQ^jE и.
2.1.Спектры люминесценции и. края поглощения.
2.2.Коэффициент преломления.
Глава четвертая ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ДГ-СТРУКТУР 1Пд, 49®а0, y^I-y
ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ (Е^а< Ноз5<Е^)
§ I. Исследования внешнего и внутреннего выхода излучат ельной рекомбинации двойных гетероструктур при 300 К).
§ 2. Температурные исследования внутреннего квантового выхода излучения.
§ 3. Влияние рекомбинации в эмиттерах на время жизни неравновесных носителей в активной области гетероструктур.
Глава пятая. ВОЗБУЖДЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ШИРОКОЗОННОМ ЭМИТТЕРЕ ДГ-СТРУКТУРЫ
§ I. Распределение носителей и рекомбинационное излучение в многослойных гетероструктурах
§ 2. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера. . 1Q
§ 3. Исследование люминесцентных характеристик изо-тишшх InGaAsP/GaAs ДГС при высоких уровнях. . . оптического возбуждения.
Глава шестая ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗК0П0Р0Г0ВЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ InGaAs P/GaAS ДГС И ПОЛУЧЕНИЕ НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА ГЕНЕРАЦИИ
§ I. Зависимость пороговой плотности тока от параметров
ДГС^лазеров. . 11&
§ 2. Анализ физических причин особенностей зависимости In (cLJ для ДГС с а Е^. - 200 мэВ в области. da£ 0,3 месм.
§ 3. Получение, непрерывного режима генераций.
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб