Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки Меркулов, Александр Иванович

Краткое описание

Меркулов, Александр Иванович.
Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа Шоттки : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : (01.04.10). - Кишинев, 1980. - 18 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Меркулов, Александр Иванович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОНОКРИСТАЛЛОВ CdCr2Se
• I.I Кристаллохимические характеристики селенохромита кадмия
1.2 Некоторые магнитоэлектрические характеристики
1.3 Оптические и СВЧ-свойства
1.4 0 возможности практического применения
1.5 Постановка задачи исследования
ГЛАВА П. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ Cd(1x)MexCr2Se4 И
ИХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.
2.1 Синтез поликристаллического материала
2.2 Выращивание легированных монокристаллов методом химических транспортных реакций.
2.3 Влияние легирующей примеси и отжига на меха ни -ческие свойства выращенных монокристаллов
2.4 Выявление дислокаций методом химического травления
ВЫВОДЫ
ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdCr2Se
3.1 Методика измерения и технология получения омических контактов
3.2 Электрические характеристики монокристаллов CdCr2Se4 , сильнолегированных примесью индия и серебра
3.3 Влияние нестехиометрии на электрические характеристики чистых и легированных монокристаллов , 89 3.4 Магнитные характеристики монокристаллов, легированных серебром и нестехиометрических по составу
В Ы В ОДЫ
ГЛАВА 1У. ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ ТИПА ШОТТКИ
НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПО
4.1 Технология получения поверхностно-барьерных структур и методика измерения
4.2 Спектры фото-э.д поверхнно-барьерныхруктур
4.3 Барьеры Шоттки на р-типе материала
4.4 Магнйтоемкостный эффект в структуре
Au - Cd0)9gIn0)01Cr2Se
ВЫВ ОДЫ
3 А К Л Ю Ч Е НИ Е