Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe Фокша, Александр Яковлевич

Краткое описание

Фокша, Александр Яковлевич.
Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Кишинев, 1984. - 213 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Фокша, Александр Яковлевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ гпЗе-СсиЗе И КАСКАДНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ. II
1.1. Зонные диаграммы и механизм прохождения тока в гетеропереходах. II
1.2. Получение гетеропереходов рйпТе -псаБе
1.3. Электрические свойства гетеропереходов гпТе
- СаБе
1.4. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов гпТе
- Сс13е
1.5. Каскадные фот оцре образ ователи. 33:>
1.6. Выводы по обзору и постановка задачи.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ ГЕТЕР ОСТРУКТУР
НА ОСНОВЕ ЭШТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ саБе
2.1. Методика изготовления кристаллов ЯпТе легированных Р и А в и их электрические свойства.
2.1.1. Получение кристаллов гпТе легированных р
2.1.2. Электрические свойства кристаллов гпТе Р , Аа ).
2.1.3. Люминесцентные свойства кристаллов гпТе Р , Аа ).
2.2. Методика изготовления и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев саБе
2.2.1. Получение слоев саБе и их структурные исследования.
2.2.2. Электрические, фотоэлектрические и лкминесцен-тные свойства слоев саБе
2.3. Изготовление гетеропереходов гпТе - саБе и исследование их структур.
2.3.1. Гетеропереходы гпТе - саБе типа кристашлслой.
2.3.2. Тонкопленочные гетеропереходы ZnTe
- CdSe
2.4. Выводы по второй главе.
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe - CdSe
3.1. Методика исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетеропереходов ZnTe CdSe
3.2. Вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетеропереходов ZnSe - CdSe
3.3. Вольт-амперные характеристики гетеропереходов
ZnSe - CdSe типа кристалл-слой.
3.4. Вольтфарадные характеристики гетеропереходов
ZnTe - CdSe
3.5. Интегральные характеристики гетеропереходов
ZnTe - CdSe
3.5.1. Интегральные характеристики тонкопленочных гетеропереходов ZnTe - CdSe
3.5.2. Интегральные характеристики гетеропереходов
ZnTe - CdSe типа кристалл-слой.
3.6. Спектральные характеристики гетеропереходов
ZnTe - CdSe
3.6.1. Расчет спектральной чувствительности тока короткого замыкания и коэффициента собирания.
3.6.2. Экспериментальные результаты.
3.7. Определение диффузионной длины неосновных носителей в гетеропереходах ZnTe - CdSe
3.8. Выводы по третьей главе.
ГЛАВА 4. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРЕХСЛОЙНЫХ КАСКАДНЫХ СТРУКТУР ZnSe - ZnTe - CdSe
4.1. Методика изготовления и структурные исследования трехслойных каскадных фотопреобразователей
ZnSe - ZnTe - CdSe
4.2. Электрические свойства каскадных трехслойных структур ZnSe - ZnTe - CdSe . I
4.3. Фотоэлектрические свойства каскадной структуры
ZnSe - ЪпТе - СаБе
4.4. Выводы по четвертой главе.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДА.