Комбинированные методы создания и исследования функциональных наноструктур для нанофотоники и наномеханики Мухин Иван Сергеевич

Краткое описание

Мухин, Иван Сергеевич.
Комбинированные методы создания и исследования функциональных наноструктур для нанофотоники и наномеханики : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.01 / Мухин Иван Сергеевич; [Место защиты: ФГБУН Институт аналитического приборостроения Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2019. - 242 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Мухин Иван Сергеевич
Введение
Список условных обозначений и сокращений
Глава 1. Основные методы создания микро- и наноструктур (Обзор литературы)
1.1. Оптическая литография
1.2. Голографическая литография и многофотонная оптическая лазерная литография
1.3. Электронная литография
1.4. Ионная литография
1.5. Зондовая литография
1.6. Молекулярно-пучковая и газофазная эпитаксия, самоорганизованный рост наноструктур
1.7. Осаждение материала под действием сфокусированного электронного пучка
1.8. Формирование тонких пленок металлов и диэлектриков с помощью термического, химического газофазного осаждения и магнетронного распыления материала
1.9. Плазменное травление тонких слоев
1.10. Манипулирование наночастицами и Ван-дер-Ваальсовыми материалами
Выводы
Глава 2. Плазмонные и диэлектрические фотонные наноструктуры и элементы наноэлектроники
2.1. Создание широкополосных просветляющих нанопокрытий на основе массива нанопор
2.2. Создание плазмонных покрытий для увеличения эффективности захвата света в тонкопленочных солнечных элементах
2.3. Создание элементов диэлектрической фотоники с помощью электронной литографии и плазмо-химического травления
2.4. Формирование мез в полупроводниковой матрице с квантовыми точками для однофотонных источников излучения
2.5. Манипулирование одиночными микро- и наночастицами под сфокусированным электронным или оптическим пучком
2.6. Манипулирование и подвешивание над поверхностью подложки одиночных листов двумерных Ван-дер-Ваальсовых материалов
Выводы
Глава 3. Наноструктуры для управления спектральным составом и направленностью излучения микродисковых лазеров
3.1. Формирование металл-углеродной наноантенны на боковой поверхности резонатора для увеличения мощности излучения микродискового лазера
3.2. Позиционирование кремниевой наноантенны на верхней грани резонатора для увеличения мощности излучения микродискового лазера
3.3. Модификация поверхности микродисковых лазерных структур для селекции оптических мод с помощью метода сфокусированного ионного пучка
Выводы
Глава 4. Наномеханические углеродные и металл-углеродные осцилляторы и функциональные нанозонды
4.1. Формирование углеродных и металл-углеродных наноструктур под действием сфокусированного электронного пучка
4.2. Исследование механических характеристик углеродных нановискеров. Собственные колебательные моды
4.3. Система связанных осцилляторов «углеродный нановискер - металлическое острие»
4.4. Создание резонансного детектора масс на основе углеродного наноосциллятора
4.5. Создание функциональных СЗМ зондов на основе углеродных наноструктур
4.6. Создание функциональных СЗМ зондов на основе металл-углеродных наноструктур
Выводы
Глава 5. Микро- и наноструктуры в каналах микрофлюидных чипов для фиксации и исследования объектов
5.1. Создание наносистем механической фиксации биообъектов в каналах микрофлюидных чипов с помощью технологии сфокусированного ионного пучка
5.2. Создание наносистем механической сортировки биообъектов по размерам в каналах микрофлюидных чипов с помощью технологии сфокусированных ионного и электронного пучков
5.3. Создание оптического сенсорного элемента в каналах микрофлюидных чипов с помощью метода осаждения материала под действием сфокусированного электронного пучка
Выводы
Глава 6. GaN нитевидные нанокристаллы на Si подложках и солнечные элементы на их основе
6.1. Синтез массивов GaN нитевидных нанокристаллов и нанотрубок на поверхности Si с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии
6.2. Модель роста GaN нанотрубок при молекулярно-пучковой эпитаксии, активированной легирующей примесью
6.3. Исследование спектров фотолюминесценции массивов GaN нитевидных нанокристаллов и нанотрубок
6.4. Формирование омических контактов к одиночным GaN нитевидным нанокристаллам. Определение уровней легирования ННК
6.5. Моделирование конструкций однокаскадных СЭ на основе массивов GaN нитевидных нанокристаллов и Si подложки
6.6. Создание СЭ на основе одиночных GaN нитевидных нанокристаллов и их массивов на Si подложках
Выводы
Заключение
Список цитируемой литературы
211