Резистивное переключение в структурах металл-изолятор на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением Егоров Константин Викторович

Краткое описание

Егоров, Константин Викторович.
Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением : диссертация ... кандидата : 01.04.04 / Егоров Константин Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]. - Долгопрудный, 2019. - 154 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Егоров Константин Викторович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МИМ-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ
ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ /ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ/
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 1. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ReRAM СТРУКТУР
2.1 Создание резистивных структур металл-изолятор-металл с помощью метода атомно-слоевого осаждения
2.2 Исследование резистивно-переключаемых структур на основе оксида гафния и оксида тантала
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В СИММЕТРИЧНЫХ МИМ
СТРУКТУРАХ TiN/HfÜ2/TiN и TiN/Ta2Ü5/ TiN
3.1 Химическое состояние границ раздела структуры TiN/HfO2/TiN исследованной с помощью in situ РФЭС
3.2 Резистивное переключение в симметричных МИМ структурах TiN/HfO2/TiN
3.3 Химическое состояние границ раздела структуры TiN/Ta2O5/TiN исследованной с помощью in situ РФЭС
3.4 Резистивное переключение в симметричных МИМ структурах TiN/Ta2O5/TiN
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В АСИММЕТРИЧНЫХ МИМ-СТРУКТУРАХ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ТАНТАЛА И ОКСИДА
ГАФНИЯ
4.1 Резистивное переключение в асимметричных МИМ-структурах использованием дополнительного диэлектрического слоя Al2O3 (TiN/Ta2O5/Al2O3/TiN)
4.2 Резистивное переключение в асимметричных МИМ-структурах с управляемым профилем кислородных вакансий, полученном за счёт использования АСО субстехиометричного TaOx (TiN/TaOx/Ta^/Al^/Pt)
4.3 Атомно-слоевое осаждение градиентно-легированных диэлектрических слоёв HfxAl1-xOy для резистивно-переключаемых асимметричных МИМ-структур Pt/HfxAl1-xOy/TiN
4.4 Резистивное переключение в МИМ структурах Pt/HfxAl1-xOy/TiN с градиентно-легированным диэлектриком
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 5 . АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ РУТЕНИЕВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ
СЛОЁВ ДЛЯ БЕСПЛАТИНОВЫХ РЕЗИСТИВНО-ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ МИМ-
СТРУКТУР Ru/HfÜ2/TiN
5.1 Особенности атомно-слоевого осаждения Ru изученные с помощью in situ РФЭС диагностики
5.2 Резистивное переключение в МИМ-структурах Ru/HfO2/TiN 121 ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 5 124 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 125 БЛАГОДАРНОСТЬ 131 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ