Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом Лучинин, Виктор Викторович

Краткое описание

Лучинин, Виктор Викторович.
Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом : диссертация ... доктора технических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 505 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор технических наук Лучинин, Виктор Викторович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЭВОЛЮЦИЯ МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКОГО И
АНАЛИТИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО БАЗИСА МИКРО-ИНАНОСИСТЕМ.
1.1.Системный подход к процессам микро- и нанотехнологии.
1.1.1. Классификация процессов микро- и нанотехнологии.
1.1.2.Эволюция принципов структурно-топологического кодирования.
1.1.3.Принцип селективности. Самоформирование.
1.1.4.Принцип матрицы - фундамент интегрированных междисциплинарных технологий.
1.1.5 .Структурообразование в условиях самоорганизации.
1.2.Неорганические и органические широкозонные материалы как материаловедческий базис микро- и наносистем.
1.2.1 .Композиция «карбид кремния - нитрид алюминия».
1.2.2.Биоорганические молекулы как базис сенсорных и информационных систем нового поколения.
1.3.Развитие аппаратурно-методического базиса технологии и диагностики микро- и наносистем.
1.3.1 .Технологическая база.
1.3.2.Контрольно-диагностическая база.
1.4.Вывод ы.
1.5.Постановка задачи диссертационной работы.
ГЛАВА 2. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
АДАПТИВНОГО МАТРИЧНОГО СИНТЕЗА ВЕЩЕСТВ,
ОБЛАДАЮЩИХ ПОЛИМОРФИЗМОМ.
2.1 .Полиморфизм и политипизм. Основные понятия и теории.
2.1.1. Понятие «структура».
2.1.2. Методы описания структур.
2.1.3.Формальное упорядочение политипного множества.
2.1.4. Основные теории политипизма.
2.2.Ростовая репликационная устойчивость матрицы.
2.2.1 .Временной вероятностно-статистический подход.
2.2.2.Неравновесный термодинамический подход.
2.2.3 .Кинетический ростовой макроскопический подход.
2.3.Матричная репликация с инородного изоструктурного субстрата.
2.3.1. Аккомодация примесей как возможный источник структурной информации.
2.3.2.Изоструктурное копирование инородного субстрата при синтезе редких политипов.
2.4.Синтаксия и ростовая эволюция политипной фазовой границы.
2.4.1.Движение межфазной границы при синтаксии.
Двумерное зародышеобразование.
2.4.2.Движение межфазной границы при синтаксии. Слоисто-спиральный рост.
2.5.Управляемый синтез гетерополитипных композиций карбида кремния.
2.5.1 .Управляемая синтаксия политипов карбида кремния.
2.5.2.Элементарные технологические операции управления кристаллической структурой.
2.6.Выводы.
ГЛАВА 3. УПРАВЛЯЕМЫЙ СИНТЕЗ ГЕТЕРОЭПЙТАКСИАЛЬНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В СИСТЕМЕ «КАРБИД КРЕМНИЯ -НИТРИД АЛЮМИНИЯ».
3.1.Моделирование процессов структурного и химического упорядочения в системе «SiC-AIN».
3.1.1. Модель химического упорядочения.
3.1.2. Модель структурного упорядочения.
3.1.3. Аналитическое рассмотрение однокомпонентного потока.
3.1.4. Аналитическое рассмотрение двухкомпонентного потока.
3.2. Экспериментальное изучение процессов структурного и химического упорядочения в системе «SiC-AIN».
3.2.1. Структурно-химическое упорядочение в системе «Si-С» при физическом распылении мишени.
3.2.2. Структурно-химическое упорядочение при ионно-химическом осаждении слоев в системах «Al+N2» и «Si+CH4».
3.3. Структурно-ориентационный изоморфизм в системе «SiC-AIN».
3.3.1. Моделирование границ сопряжения.
3.3.2. Экспериментальные исследования структурно-ориентационного ростового изоморфизма в системе «SiC-AIN».
3.3.3. Разработка алгоритмов управляемого получения редких политипов и гетерополитипных композиций в системе «SiC-AIN».
3.4.Вывод ы.
ГЛАВА 4. СТРУКТУРО- И ФОРМООБРАЗОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ И ОРГАНИЧЕСКИХ НАНОСЛОЕВЫХ
ГЕТЕРОЭГШТАКСИАЛЬНЫХ КОМПОЗИЦИЙ АНАЛОГОВ ФОСФОЛИПИДОВ.
4.1.Синтез, кристаллизация и исследование свойств аналогов фосфолипидов.
4.1.1. Синтез аналогов фосфолипидов.
4.1.2. Идентификация синтезированных веществ.
4.1.3. Физико-химические свойства аналогов фосфолипидов.
4.1.4. Выращивание кристаллов аналогов фосфолипидов.
4.1.5.Исследование структуры и электрофизических свойств кристаллов и плёнок аналогов фосфолипидов.
4.2.Физико-технологические основы формирования органических нанослоевых композиций на основе метода Ленгмюра-Блоджетт.
4.2.1.Физико-химические основы классического метода Ленгмюра-Блоджетт.
4.2.2.Переходные слои в моно- и мультислоевых композициях амфифильных поверхностно-активных веществ.
4.3.Принцип матрицы в молекулярной монослойной эпитаксии из жидкой фазы ограниченно растворимых аналогов фосфолипидов. Модифицированная методика Ленгмюра-Блоджетт.
4.4.Вывод ы.
ГЛАВА 5. ТОПОЛОГИЧЕСКИ УПОРЯДОЧЕННОЕ
МИКРОФОРМООБРАЗОВАНИЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ И
НИТРИДА АЛЮМИНИЯ.
5.1.Принцип маски и матрицы в технологии локальноселективной эпитаксии SiC.
5.1.1 .Локальная эпитаксия карбида кремния при маскировании подложки.
5.1.2.Локальная репродукционная эпитаксия карбида кремния при маскировании.
5.1.3. Топохимическая избирательность в процессах роста SiC.
5.2.Жидкостное травление SiC и A1N.
5.2.1.Микропрофилирование SiC методом жидкостного травления.
5.2.2. Жидкостное химическое травление нитрида алюминия.
5.3.Реактивное ионно-плазменное травление SiC и A1N.
5.4.Микропрофилирование SiC электронно-лучевой и лазерной обработками.
5.4.1.Электронно-лучевое микропрофилирование карбида кремния.
5.4.2.Лазерное микропрофилирование карбида кремния.
5.5.Вывод ы.
ГЛАВА 6. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ НА
ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
НЕОРГАНИЧЕСКОЙ И ОРГАНИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ.
6.1.Микросистемная техника. Направления и тенденции развития.
6.1.1. Микросистемная техника как критическое направление.
6.1.2. Исторические и социально-экономические аспекты возникновения и развития микросистемной техники.
6.1.3.Структура направления «микросистемная техника».
6.1.4.Материаловедческий и технологический базис микросистем.
6.1.5. Состояние работ в области микросистемной техники в
России.
6.2.Композиция «SiC -AIN» - базис элементной базы микросистем нового поколения.
6.2.1. Тензорезистивные и ёмкостные преобразователи на основе структур «объёмной» и «поверхностной» микромеханики.
6.2.2. Терморезистивные высокостабильные преобразователи на 446 основе карбида кремния.
6.2.3. Терморезистивные высокостабильные микронагреватели и тлтг 448 ИК-излучатели.
6.2.4.0птоэлектронные элементы на основе карбида кремния и нитрида алюминия. ^^
6.3.Первичные преобразователи на основе плёнок аналогов фосфолипидов.
6.4.Архитектура и принципы функционирования бионических микро- и наносистем.
6.5.Вывод ы.