Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами Нгуен, Туан Ханг
- Альтернативное название:
- Effect of Electron Irradiation and Heat Treatment on Electrical and Optical Properties of 3d-Doped Indium Phosphide Crystals Nguyen, Tuan Hang
- Краткое описание:
- Нгуен, Туан Ханг.
Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 196 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Нгуен, Туан Ханг
1. СОСТОЯНИЕ И ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ А3В5.
X.I. Глубокие центры в полупроводниковых соединениях
А3В5.
1.2. Общее положение изучения глубоких уровней в фосфиде индия.
1.3. Влияние электронного облучения на свойства полупроводниковых соединениях 3 В
1.4. Влияние облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства фосфида индия
1.5. Постановка задачи исследования
2. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ,
ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА.
2.1. Методика эксперимента и характеристики образцов
2.2. Результаты измерений и их обсуждение .»,•,«. 60 ВЫВОДЫ.
3. ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ И ТЕРМООБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБРАЗЦОВ ФОСФИДА ИНДИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА.
3.1. Исследование компенсированных образцов, облученных электронами с энергией I МэВ
3.1.1. Результаты эксперимента.
3.1.2. Обсуждение результатов
3.2. Влияние низкотемпературного отжига на электрические свойства кристаллов фосфида индия, легированных примесями группы железа .ЮЗ
3.2.1. Методика эксперимента.
3.2.2. Результаты опыта и обсуждение
ВЫВОДЫ
4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИВДИЯ,
ЛЕГИРОВАННЫХ ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
4.1. Фотопроводимость компенсированных кристаллов фосфида индия . X2I
4.1.1. Методика и результаты эксперимента.
4.1.2. Обсуждение полученных данных.
4.1.3. Влияние электронного облучения и изохронного отжига на спектральные зависимости фотопроводимости кристаллов фосфида индия, легированных хромом , железом и марганцем
4.2. Фотолюминесценция и оптическое поглощение легированных слоев и кристаллов фосфида индия
4.2.1. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев фосфида индия, легированного марганцем.
1.2.2. Оптические поглощение легированных кристаллов фосфида индия.
4.3. Поведение 3d - элементов в фосфиде индия
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб