Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi Шаронова, Лариса Васильевна

Короткий опис

Шаронова, Лариса Васильевна.
Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 169 с. : ил
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Шаронова, Лариса Васильевна
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
1.1. Основные определения.
1.2. Зонная диаграмма гетероперехода (Ш).
1.3. Пограничные состояния (ПС) б гетеропереходах (ГП)
1.4. Гетеропереходы (ГП) GttF-SL
1.5. Гетеропереходы (ГП) S&As - SI
1.6. Гетероперехода (Ш) j3-SlC-SL.
1.7. Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Сведения о полупроводниках: Si, fiaAs, SaP, p-SlC .4?
2.2. Технология re те po структур.
2.3. Подготовка образцов к измерениям.
2.4. Особенности измерительных методик.
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ.
3.1. Основные теоретические модели.
3.2. Результаты эксперимента (ВАХ и ВФХ).
3.3. Анализ эксперимента.
3.3.1. Механизм тока в гетероструктурах п-GaP/p-SL-l и n-GaAs/p-Si.о
3.3.2. Зонные диаграммы гетеропереходов (ГП) a-GaAs-p-SL и n-GaP-p-Si.
3.4. Выводы.Ill
ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ИЗ
4.1. Общие представления.
4.2. Спектральные характеристики гетероструктур п-/-Sifc/p-Si' и nf№-(SiOzyp-Sl.ГГ
4.3. Фотоэлектрические явления в гетеропереходах vn)Gafc/Si и Gap/Si.
4.4. Выводы.