Термо- и фотоиндуцированные процессы переполяризации в сегнетоэлектриках и сегнетоэлектриках-полупроводниках Богомолов, Алексей Алексеевич

Короткий опис

Богомолов, Алексей Алексеевич.
Термо- и фотоиндуцированные процессы переполяризации в сегнетоэлектриках и сегнетоэлектриках-полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Тверь, 1999. - 280 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Богомолов, Алексей Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ.•.
ГЛАВА I. ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ обзор).
ЧАСТЬ I. ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ И ЭФФЕКТ БАРКГАУЗЕНА.
1.1. Общие сведения о процессах переполяризации сегнетоэлектриков.
1.2. Скачкообразные процессы переполяризации в сегнетоэлектриках.
1.3. Механизмы возникновения скачкообразных процессов переполяризации.
1.4. Разновидности эффекта Баркгаузена.
1.5. Процессы переполяризации и поверхностные эффекты в сегнетоэлектриках.
ЧАСТЬ II. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, НАБЛЮДАЕМЫЕ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ ИЗМЕНЕНИИ ТЕМПЕРАТУРЫ.
1.6. Пироэффект в кристаллах группы ТГС (общие сведения).
1.7. Экспериментальные методы исследования пйроэффекта.
1.8. Пироэлектрические свойства приповерхностных слоев и тонкослойных сегнетоэлектриков.
1.9. Нелинейные явления в пироэффекте (скачкообразные процессы переполяризации), вызванные воздействием тепловых потоков большой плотности.
1.10. Перестройка доменной структуры сегнетоэлектриков, индуцированная непрерывным изменением температуры.
1.11. Механические и диэлектрические потери сегнетоэлектрических кристаллов в условиях неравновесного состояния системы.
1.12. Термостимулированная эмиссия электронов.
1.13. Излучение электромагнитных и акустических волн сегнетоэлектриками при изменении температуры.
1.14. Аномалии физических свойств водородсодержащих сегнетоэлектрических и пироэлектрических кристаллов, подвергнутых воздействию термоудара.
ГЛАВА II. ТЕПЛОВОЙ ЭФФЕКТ БАРКГАУЗЕНА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ И
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ-ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
2.1. Тепловой эффект Баркгаузена в естественно и предварительно поляризованных образцах сегнетоэлектрических кристаллов.
2.2. Влияние постоянного электрического поля на тепловой эффект Баркгаузена.
2.3. Электрические поля термического происхождения в сегнетоэлектрических кристаллах при непрерывном изменении температуры.
2.4. Тепловой эффект Баркгаузена и температурные механические напряжения в сегнетоэлектрических кристаллах.
ГЛАВА III. НЕЛИНЕЙНЫЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ ГРУППЫ ТГС, ОБУСЛОВЛЕННЫЙ ПРОЦЕССАМИ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ.
3.1. Экспериментальные наблюдения нелинейных пироэлектрических явлений в кристаллах группы ТГС, обусловленных процессами переполяризации.
3.2. Влияние температуры и внешнего электрического поля на нелинейные •пироэлектрические явления в кристаллах группы ТГС.
3.3. Аномальные пироэлектрические петли гистерезиса в кристаллах группы ТГС.
3.4. Релаксационные явления в нелинейном пироэлектрическом эффекте.
3.5. Процессы зародышеобразования в монокристаллах ТГС и ДТГС, вызванные воздействием теплового потока.
3.5.1. Экспериментальные результаты (температурные и частотные зависимости скачкообразных процессов переполяризации).
3.5.2. Анализ формы электрического отклика, сопровождающего процесс зарождения и расширения доменов термического происхождения.
3.5.3. Возбуждение механических колебаний скачкообразными процессами переполяризации в сегнетоэлектрических кристаллах.:.
3.5.4. Визуальное наблюдение термоиндуцированных процессов локальной переполяризации в кристаллах группы ТГС поляризационно-оптическим методом с помощью НЖК.
3.6. Влияние естественной униполярности на нелинейный пироэффект в кристаллах группы ТГС.
3.7. Расчет электрических полей термического происхождения в сегнетоэлектрических кристаллах, возникающих при воздействии на них модулированных тепловых потоков.
3.8. Термически активированные процессы перецоляризации в сегнетоэлектриках-полупроводниках SbSI, S112P2S6.
ГЛАВА IV. ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ПРИ РАСПРОСТРАНЕНИИ
УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ВОЛН.
4.1. Ток переключения, индуцированный импульсным воздействием УЗВ, в кристаллах ВаТЮз , ТГС при квазистатическом изменении электрического состояния образца.
4.2. Скачкообразные процессы переполяризации, индуцированные УЗ импульсом, в монокристаллах ТГС, СС, SbSI.
4.3. Влияние УЗ волны на величину диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрического кристалла.
ГЛАВА V. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ - ПОЛУПРОВОДНИКАХ SbSI, Sn2P2S6.
5.1. Ускорение процессов установления поляризации монокристаллов SbSI,
S112P2S6 под воздействием освещения.
5.2. Процессы деполяризации (полидоменизации) в монокристаллах SbSI и "Sn2P2S6, обусловленные экранированием внешних электрических полей.
5.3. Нелинейные фото- и пироэлектрические явления в монокристаллах сегнетоэлектриков-полупроводников SbSI и Sml^Sr,, индуцированные воздействием лазерного излучения.
ГЛАВА VI. ПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ И ИХ РОЛЬ В ФОРМИРОВАНИИ ТЕРМО - И ФОТОИНДУЦИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ.
6.1 .Расчет формы пироотклика при наличии в кристалле приповерхностных слоев.
6.2. Приповерхностные слои с особыми пироэлектрическими свойствами в кристаллах группы ТГС.
6.3. Пироэлектрические свойства приповерхностных слоев кристаллов сегнетоэлектрика-полупроводника S^PiSö.
6.4. Влияние поверхностных слоев на формирование термо- и фотоиндуцированных процессов переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов.