|
Всего работ:2215
751. Набок, Алексей Васильевич. Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний
Год: 2006 752. Нальгиева Мадина Алихановна. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
Год: 2006 753. Нестоклон Михаил Олегович. Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
Год: 2006 754. Никитина Екатерина Викторовна. Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
Год: 2006 755. Николаенко Андрей Евгеньевич. Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Год: 2006 756. Никольская Людмила Владимировна. Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца
Год: 2006 757. Овчаров Владимир Викторович. Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
Год: 2006 758. Павленко Максим Николаевич. Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
Год: 2006 759. Петров Павел Вячеславович. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
Год: 2006 760. Погосов Артур Григорьевич. Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
Год: 2006 761. Полетаев Николай Константинович. Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
Год: 2006 762. Потанахина Любовь Николаевна. Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
Год: 2006 763. Путято Михаил Альбертович. Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x
Год: 2006 764. Рембеза Екатерина Станиславовна. Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
Год: 2006 765. Савельев Артем Владимирович. Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
Год: 2006 766. Савинов Иван Сергеевич. Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
Год: 2006 767. Сдобняков Виктор Владимирович. Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
Год: 2006 768. Седова Ирина Владимировна. Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Год: 2006 769. Семенов Алексей Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5
Год: 2006 770. Сизов Дмитрий Сергеевич. Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Год: 2006 771. Сизов Сергей Викторович. Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами
Год: 2006 772. Стародубцев Александр Александрович. Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
Год: 2006 773. Старчук Александр Сергеевич. Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
Год: 2006 774. Стукова Елена Владимировна. Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
Год: 2006 775. Татаринцев Александр Владимирович. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
Год: 2006 776. Требунских Сергей Юрьевич. Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
Год: 2006 777. Трифонов Олег Александрович. Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
Год: 2006 778. Тягинов Станислав Эдуардович. Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Год: 2006 779. Хабарова Ксения Юрьевна. Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
Год: 2006 780. Хамидов Марасилав Магомедович. Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
Год: 2006 781. Хамидуллин Рустам Ангамович. Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
Год: 2006 782. Хизбуллин Радик Накибович. Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
Год: 2006 783. Школьник Алексей Сергеевич. Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Год: 2006 784. Агеева Надежда Николаевна. Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
Год: 2005 785. Аливов Яхия Ибрагимович. Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе
Год: 2005 786. Андреев Вячеслав Эдуардович. Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
Год: 2005 787. Апполонов Сергей Владимирович. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания
Год: 2005 788. Астров Юрий Александрович. Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток
Год: 2005 789. Борщ Надежда Алексеевна. Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
Год: 2005 790. Булатов Марат Фатыхович. Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
Год: 2005 791. Верозубова Галина Александровна. Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
Год: 2005 792. Горан Андрей Васильевич. Магнетотранспортные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах
Год: 2005 793. Горохов Евгений Борисович. Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
Год: 2005 794. Григорьев Денис Валерьевич. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Год: 2005 795. Губенко Алексей Евгеньевич. Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
Год: 2005 796. Дмитриев Валентин Александрович. Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
Год: 2005 797. Драгунов Валерий Павлович. Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
Год: 2005 798. Дукин Александр Анатольевич. Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
Год: 2005 799. Евстифеев Василий Викторович. Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
Год: 2005 800. Ефремов Артем Александрович. Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
Год: 2005 |
