|
Всего работ:2215
801. Журавлев Константин Сергеевич. Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
Год: 2005 802. Калинин Евгений Николаевич. Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
Год: 2005 803. Кеслер Валерий Геннадьевич. Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
Год: 2005 804. Климов Александр Эдуардович. Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
Год: 2005 805. Когновицкая Елена Андреевна. Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
Год: 2005 806. Кожухарь Анатолий Юрьевич. Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
Год: 2005 807. Крыжановская Наталья Владимировна. Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
Год: 2005 808. Кукоев Игорь Юрьевич. Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
Год: 2005 809. Курило Оксана Васильевна. Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
Год: 2005 810. Логинова Екатерина Александровна. Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия
Год: 2005 811. Максимов Александр Иванович. Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
Год: 2005 812. Марко Антон Александрович. Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
Год: 2005 813. Мирошникова, Ирина Николаевна. Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия
Год: 2005 814. Моисеев Константин Дмитриевич. Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Год: 2005 815. Николаев Валентин Вячеславович. Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
Год: 2005 816. Новиков Иннокентий Игоревич. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
Год: 2005 817. Павлык Александр Владимирович. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
Год: 2005 818. Парамонов Андрей Викторович. Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
Год: 2005 819. Попов Владимир Павлович. Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
Год: 2005 820. Посредник Олеся Валерьевна. Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
Год: 2005 821. Принц Виктор Яковлевич. Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур
Год: 2005 822. Радчук Наталия Борисовна. Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
Год: 2005 823. Родионов Максим Александрович. Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
Год: 2005 824. Романов Константин Сергеевич. Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
Год: 2005 825. Ромашин Сергей Николаевич. Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
Год: 2005 826. Рудь Василий Юрьевич. Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
Год: 2005 827. Саланов Андрей Александрович. Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы
Год: 2005 828. Седов Александр Викторович. Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
Год: 2005 829. Семенова Елизавета Сергеевна. Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
Год: 2005 830. Скаляух Ольга Вячеславовна. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
Год: 2005 831. Слепнева Марина Анатольевна. Газовые сенсоры на основе пленок SnO(2-x) для "Электронного носа"
Год: 2005 832. Стоянов Николай Деев. Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
Год: 2005 833. Тонких Александр Александрович. Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
Год: 2005 834. Торопов Алексей Акимович. Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
Год: 2005 835. Уздовский Владимир Валерьевич. Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью
Год: 2005 836. Уточкин Иван Геннадьевич. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
Год: 2005 837. Хабибуллина Наиля Рашидовна. Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
Год: 2005 838. Черников Максим Александрович. Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах
Год: 2005 839. Черняев Антон Валентинович. Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
Год: 2005 840. Шевченко Ольга Юрьевна. Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Год: 2005 841. Штрекерт Ольга Юрьевна. Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
Год: 2005 842. Щербак Андрей Владимирович. Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии
Год: 2005 843. Энтин Матвей Вульфович. Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
Год: 2005 844. Якимов Сергей Владимирович. Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
Год: 2005 845. Азаров Александр Юрьевич. Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
Год: 2004 846. Аскинази Анатолий Юрьевич. Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
Год: 2004 847. Астахова Анастасия Павловна. Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Год: 2004 848. Бакаров Асхат Климович. Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
Год: 2004 849. Баталов Рафаэль Ильясович. Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
Год: 2004 850. Бельков Василий Валентинович. Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
Год: 2004 |
