|
Всего работ:2215
951. Дмитриев Иван Александрович. Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
Год: 2002 952. Жуков Алексей Евгеньевич. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
Год: 2002 953. Закамов Вячеслав Робинович. Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
Год: 2002 954. Ильин Павел Александрович. Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
Год: 2002 955. Ишимов Виктор Михайлович. Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
Год: 2002 956. Казанцева Инга Александровна. Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе
Год: 2002 957. Комаров Евгений Павлович. Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
Год: 2002 958. Корнилович Александр Антонович. Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
Год: 2002 959. Костко Ирина Андреевна. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
Год: 2002 960. Котельников Евгений Юрьевич. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
Год: 2002 961. Криворотов Николай Павлович. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
Год: 2002 962. Кузьменко Роман Валентинович. Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
Год: 2002 963. Кузьмин Виталий Вячеславович. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
Год: 2002 964. Куницын Александр Евгеньевич. Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Год: 2002 965. Максимов Кирилл Сергеевич. Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
Год: 2002 966. Марков Кирилл Александрович. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
Год: 2002 967. Маслов Александр Юрьевич. Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
Год: 2002 968. Митаров Ризван Гаджимирзаевич. Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
Год: 2002 969. Михрин Сергей Сергеевич. Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
Год: 2002 970. Морозов Сергей Вячеславович. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
Год: 2002 971. Мурашова Алена Владимировна. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
Год: 2002 972. Павлюченко Максим Николаевич. Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
Год: 2002 973. Пирюшов Виталий Анатольевич. Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
Год: 2002 974. Писаревский Мстислав Сергеевич. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
Год: 2002 975. Полупанов Александр Федорович. Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
Год: 2002 976. Прыкина Елена Николаевна. Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
Год: 2002 977. Садофьев Сергей Юрьевич. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
Год: 2002 978. Садыков Марат Фердинантович. Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике -Fe2 O3
Год: 2002 979. Светлова Наталья Юрьевна. Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
Год: 2002 980. Синис Валерий Павлович. Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Год: 2002 981. Соловьев Александр Александрович. Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
Год: 2002 982. Тарасов Илья Сергеевич. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Год: 2002 983. Тиллес Ванда Феликсовна. Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Год: 2002 984. Фещенко Игорь Сергеевич. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
Год: 2002 985. Фридман Татьяна Петровна. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
Год: 2002 986. Черкашин Николай Анатольевич. Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
Год: 2002 987. Шалыгина Ольга Александровна. Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
Год: 2002 988. Шляпин Александр Владимирович. Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Год: 2002 989. Щербаков Алексей Валерьевич. Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
Год: 2002 990. Абрамов Алексей Станиславович. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
Год: 2001 991. Благов Евгений Владимирович. Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
Год: 2001 992. Боженов Александр Вячеславович. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Год: 2001 993. Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
Год: 2001 994. Воробьёв Александр Борисович. Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
Год: 2001 995. Воронцов Владимир Анатольевич. Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
Год: 2001 996. Галкин Николай Геннадьевич. Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
Год: 2001 997. Гордо Наталья Михайловна. Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
Год: 2001 998. Гумаров Габдрауф Габдрашитович. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
Год: 2001 999. Джабраилов Тайяр Акбер оглы. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
Год: 2001 1000. Жаринова Наталья Николаевна. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
Год: 2001 |
